富士通半導(dǎo)體解決方案有限公司推出了帶有并行接口的新型8Mbit FRAM MB85R8M2TA，這是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一個保證100萬億次讀/寫周期的產(chǎn)品，目前已提供評估樣品。與富士通的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品既實(shí)現(xiàn)了高速運(yùn)行，讀寫速度提高了約30%，又實(shí)現(xiàn)了低功耗，工作電流降低了10%。這種存儲器IC是需要高速運(yùn)行的工業(yè)機(jī)器中SRAM的理想替代品。

FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品，具有高讀/寫持久性、快速寫入速度操作和低功耗的優(yōu)越性，它已經(jīng)生產(chǎn)了20多年。富士通從2018年6月開始提供帶有并行接口的8 Mbit FRAM MB85R8M2T。在推廣該產(chǎn)品的同時，公司聽到了客戶要求的聲音，如保證10萬億次以上的寫入耐久性、與SRAM一樣的操作速度以及與SRAM兼容的TSOP封裝。富士通現(xiàn)在宣布推出的8兆比特FRAM產(chǎn)品滿足這些要求，并保持FRAM獨(dú)特的低能耗特性。

MB85R8M2TA具有與SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的寬廣電源電壓范圍內(nèi)工作，是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一個保證100萬億次讀寫周期的產(chǎn)品。

由于能夠在快速頁面模式下以25ns時延運(yùn)行，新FRAM的訪問速度在連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸時與SRAM一樣高。與富士通的傳統(tǒng)FRAM產(chǎn)品相比，它不僅實(shí)現(xiàn)了更高的運(yùn)行速度，而且降低了功耗。這種FRAM的最大寫入電流為18mA，比目前的產(chǎn)品低10%，最大待機(jī)電流為150μA，低50%。它采用44針TSOP封裝，與富士通的4Mbit FRAM采用相同的封裝形式，此外還可選48針FBGA封裝。

新的8Mbit FRAM給客戶帶來的好處是，在某些情況下可以省去SRAM所需的數(shù)據(jù)備份電池。富士通的FRAM產(chǎn)品可以解決因用非易失性存儲器取代SRAM而產(chǎn)生的種種問題，例如不再需要改變接口設(shè)計和PCB設(shè)計的額外工作，解決了SRAM寫入速度慢以及耐久度差的問題。

富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案表示將繼續(xù)開發(fā)低功耗的FRAM產(chǎn)品。隨著功耗的降低，它的目標(biāo)是減少二氧化碳排放，以減少溫室氣體，在繼續(xù)滿足市場和客戶的需求的同時開發(fā)環(huán)保型內(nèi)存產(chǎn)品。

（舉報）