【全球終端需求溫和復蘇，AI助力開啟新一輪創(chuàng)新周期】

　　據(jù) Counterpoint 數(shù)據(jù)，2024 年第三季度全球智能手機銷量同比增長 2%， 實現(xiàn)連續(xù)四個季度的正增長，也是自18 年以來首 次實現(xiàn)第三季度增長;同時其銷售額和平均售價亦分別同比增長 10%和 7%，其中拉丁美洲、西歐和日本的增長率最 高;據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，第三季度我國智能手機出貨量同比增速達 3.2%，近四個季度持續(xù)復蘇。

　　自2017 年以來智能手機進入存量時代，2022-2023 年全球出貨量連續(xù)同比下降 11.3% 和 3.2%，且 2023 年全球出貨量創(chuàng)下十年以來最 低水平;在 AI 賦能下，智能手機有望進入新一輪創(chuàng)新周期，繼而開啟又一輪換機潮，蘋果、三星、Oppo、vivo、榮耀、華為及小米等各大手機廠商已紛紛圍繞 AI 展開深度布局; 疊加當前全球主要經濟體持續(xù)復蘇，國內以舊換新、以及各地紛紛推出的手機相關補貼政策等因素，一定程度上亦對刺激終端需求市場回暖起到積極作用。

　　從終端載體來看，除手機之外，AI 眼鏡等產品亦值得關注。人類接受的信息超過 80%來自視覺，視覺理解將進一步拓展大模型的能力邊界，降低大模型交互門檻，解鎖更多應用場景。AI 眼鏡作為視覺感知入口，通過攝像頭的嵌入， 實現(xiàn)計算機視覺和人類視覺的結合，且具有便攜性和可交互性，是端側 AI 理想 的落地場景之一。

　　據(jù) IDC 統(tǒng)計，截至2024 年三季度，全球智能眼鏡出貨量僅為 150 萬臺，滲透提升空間廣闊。 2025 年，預計在 AI 應用蓬勃發(fā)展趨勢下，全球科技類公司將在 AI 端側產品方面進一步發(fā)力，SoC芯片、存儲、算力等領域有望迎來量價齊增。

　　【存儲市場現(xiàn)結構性分化，HBM 驅動產業(yè)鏈持續(xù)成長】

　　受下游庫存高企及需求疲軟的影響，23 年上半年存儲產品經歷了量價持續(xù)下跌，而后隨著存儲廠商主動減產及終端復蘇，下游庫存水位逐漸回歸正常，23 年 9 月DRAM價格開始回升，后續(xù)期間小幅波動，直至 24 年 7 月再度走低， 截至 24 年 12 月 27 日，通用 PC DRAM 產品(DDR4 8Gb 1Gx8)現(xiàn)貨平均價為 1.46 美元， 較 7 月高點下跌 20.44%;

　　NAND 方面，以存儲卡和 USB 設備通用 NAND 產品(128Gb 16Gx8 MLC)來看，23 年 10 月- 24 年 3 月連續(xù)上漲，后續(xù)期間價格基本穩(wěn)定，直至 9 月重回跌勢，截至 24 年 10 月底，128Gb 16Gx8 MLC 合約價為 3.07 美元，9-10 月環(huán)比降幅分別為 11.43%、29.26%;具體來看，企業(yè)級市場由于 AI 增長，景氣情況要優(yōu)于消費級市場，據(jù) Trend Force 數(shù)據(jù)，企業(yè)級 SSD 平均售價在 24 年第三季度環(huán)比增長約 15%。

　　結合存儲芯片龍頭美光財報來看，該公司 2025 財年第 一財季( 2024 年 9 月 1 日至 11 月 30 日)DRAM 業(yè)務在 HBM 帶動下環(huán)比增長 20%，而 NAND 業(yè) 務卻因受傳統(tǒng)領域如手機、汽車、工業(yè)等需求端拖累環(huán)比下滑 5%。

　　從存儲整體市場規(guī)模來看，受益于AI 驅動下的服務器需求拉動， 2024 年前三季度全球存儲市場同比增幅達 96.8%，市場規(guī)模為1202.25 億美元，其中 第三季度環(huán)比增長 8.3%，其中DRAM 市場規(guī)模環(huán)比增加 10.4%至 258.5 億美元; NAND Flash 市場規(guī)模環(huán)比增長5.7%至 190.2 億美元;據(jù) WSTS 預測，24 年全年存儲市場有望增長 81%。

　　中長期來看，由于 AI 領域規(guī)?；逃脤Υ鎯Φ娜萘俊?shù)據(jù)傳輸速度、存儲的數(shù)據(jù)安全均提出了更高的要求，因此高帶寬存儲HBM需求迎來爆發(fā)式增長，據(jù) Trend Force 測算， 24 年全球HBM市場規(guī)模將達 183 億美元，同比增幅超300%，預計 25 年市場規(guī)模將進一步增至 300 億美元，疊加終端有望開啟新一輪創(chuàng)新周期，將 為存儲新一輪成長提供更多的驅動因素。

　　【半導體為科技角逐重要領域，政策端持續(xù)強化加速國產化進程】

　　從外部環(huán)境來看，當前面臨的相關技術限制進一步加碼， 24 年 12 月 2 日BIS 修訂了《出口管理條例》(EAR)，新增限制 HBM 的技術參數(shù)，主流 HBM 產品受管制; 24 年 12 月 23 日，美國貿易代表辦公室(USTR)宣布，根據(jù)《1974 年貿易 法》第 301 條，針對中國在半導體行業(yè)的行為、政策和做法展開調查(簡稱“301 調查 ”)，此次調查主要聚焦于成熟制程的半導體產品，即 28 納米及以上的非最 先進工藝芯片。

　　同時美國商務部 12 月 20 日表示，根據(jù)芯片激勵計劃分別向韓國三星電子、 德州儀器和安靠科技提供 47.45、16.1 和4.07 億美元資助。

　　可見，半導體領域是當前科技大國之間競相角逐的重要領域，未來圍繞科技領域的博弈或將進一步加劇，因此實現(xiàn)高水平科技自立自強的需求尤為迫切。

　　從國內政策來看，一方面，高層會議明確提出發(fā)展新質生產力并強調其重要性。23 年中央經濟工作會議首 次明確提出發(fā)展新質生產力，隨后從金融支持層面陸續(xù)發(fā)布政策文件，進一步聚焦支持科技創(chuàng)新等領域;24 年 12 月中央經濟工作會議提出，要以科技創(chuàng)新引領新質生產力發(fā)展，建設現(xiàn)代化產業(yè)體系。

　　另一方面，并購重組等相關政策基調獲進一步強化。今年以來，新“ 國九條 ”、 “科創(chuàng)板八條 ”、“并購六條 ”等政策陸續(xù)發(fā)布，北京、深圳、天津、安徽等地亦積極 部署支持并購重組，明確支持科創(chuàng)板、創(chuàng)業(yè)板上市公司并購產業(yè)鏈上 下游資產，增強“硬科技 ”、“三創(chuàng)四新 ”屬性。

　　從產業(yè)自身來看，當前我國集成電路關鍵核心領域仍存“卡脖子 ”等挑戰(zhàn)， 疊加產業(yè)鏈“斷鏈脫鉤 ”的潛在風險，因此亟需加速推進國產替代進程。半導體屬于技術、資金壁壘很高的行業(yè)，強者恒強的特征尤為顯著，并購重組有助于加 強市場、技術、 資金等資源整合，形成規(guī)模效應，促進產業(yè)鏈協(xié)同和優(yōu)勢互補，從而提升行業(yè)整體競爭力;同時半導體行業(yè)企業(yè)普遍研發(fā)投入大，投資回報周期長，并購新政明確放開未盈利資產并購，將進一步支持行業(yè)龍頭企業(yè)有效并購優(yōu)質資產。

　　展望 2025 年全年，AI、信創(chuàng)領域等驅動預計持續(xù)強勁，同時消費補貼政策刺激疊加新一輪創(chuàng)新周期下，終端需求有望迎來逐步改善;半導體作為新質生產力重要引擎，預計 2025 年仍將是市場熱點主題，盡管外部環(huán)境或將面臨大國科技博弈加劇， 但國內政策層面從財政、金融、產業(yè)等多維度予以支持，產業(yè)結構、行業(yè)格局將通過并購重組等措施不斷優(yōu)化，建議關注 AI 驅動下成長空間有望進一步打開的先進封裝、存儲龍頭，以及充分受益于國產替代、業(yè)績確定性強的半導體設備板塊等。

　　我們篩選出以下潛力標的

　　北方華創(chuàng)(002371)公司刻蝕機、PVD、氧化\擴散設備、清洗機等已陸續(xù)供應武漢新芯、華力微電子等集成電路制造廠商。

　　中微公司(688012)公司的等離子體刻蝕設備已應用在國際一線客戶從 65 納米到 14 納米、 7 納米和 5 納米及更先進的集成電路加工制造生產線及先進封裝生產線。

　　通富微電(002156)公司在 DRAM和NAND方面持續(xù)布局，產品覆蓋 PC 端、移動端及服務器。

　　參考資料：國開證券-半導體行業(yè)策略報告：AI驅動疊加政策提振 行業(yè)將迎新成長.pdf

　　免責聲明：本文由投資顧問: 馮利勇(執(zhí)業(yè)證書編碼：A1280620060001)、羅力川(登記編號：A1280622110002)等編輯整理，僅代表團隊觀點，任何投資建議不作為您投資的依據(jù)，您須獨立作出投資決策，風險自擔。請您確認自己具有相應的權利能力、行為能力、風險識別能力及風險承受能力，能夠獨立承擔法律責任。 所涉及個股僅作投資參考和學習交流，不作為買賣依據(jù)。投資有風險，入市需謹慎!

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