據(jù)清華大學(xué)官網(wǎng)消息，集成電路學(xué)院任天令教授團(tuán)隊(duì)在小尺寸晶體管研究方面取得重大突破，首次實(shí)現(xiàn)了具有亞1納米柵極長(zhǎng)度的晶體管，并具有良好的電學(xué)性能。據(jù)清華大學(xué)介紹，目前主流工業(yè)界晶體管的柵極尺寸在12nm以上，日本中在2012年實(shí)現(xiàn)了等效3nm的平面無(wú)結(jié)型硅基晶體管，2016年美國(guó)實(shí)現(xiàn)了物理柵長(zhǎng)為1nm的平面硫化鉬晶體管，而清華大學(xué)目前實(shí)現(xiàn)等效的物理柵長(zhǎng)為0.34nm。圖1 亞1納米柵長(zhǎng)晶體管結(jié)構(gòu)示意圖官網(wǎng)介紹，為進(jìn)一步突破1納米以下柵長(zhǎng)晶體管的瓶頸，本研究團(tuán)隊(duì)巧妙利用石墨烯薄膜超薄的單原子層厚度和優(yōu)異的導(dǎo)電性能作為柵極，通過(guò)?...

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