據(jù)清華大學官網(wǎng)消息，集成電路學院任天令教授團隊在小尺寸晶體管研究方面取得重大突破，首次實現(xiàn)了具有亞1納米柵極長度的晶體管，并具有良好的電學性能。據(jù)清華大學介紹，目前主流工業(yè)界晶體管的柵極尺寸在12nm以上，日本中在2012年實現(xiàn)了等效3nm的平面無結(jié)型硅基晶體管，2016年美國實現(xiàn)了物理柵長為1nm的平面硫化鉬晶體管，而清華大學目前實現(xiàn)等效的物理柵長為0.34nm。圖1 亞1納米柵長晶體管結(jié)構(gòu)示意圖官網(wǎng)介紹，為進一步突破1納米以下柵長晶體管的瓶頸，本研究團隊巧妙利用石墨烯薄膜超薄的單原子層厚度和優(yōu)異的導電性能作為柵極，通過?...

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