NAND閃存進入3D時代之后，提高容量的方式主要靠堆棧層數(shù)了，2022年幾大原廠已將層數(shù)提升到232層以上，再下一個目標(biāo)就是超過300層要繼續(xù)提高性能，西數(shù)、鎧俠就公布了相關(guān)信息。在2023年的VLSI集成電路會議上，他們將發(fā)布最新的研究論文，介紹8平面3D閃存以及堆棧層數(shù)可以超過300層的閃存。除了高性能TLC閃存之外，西數(shù)鎧俠還在開發(fā)300層甚至400層的高層數(shù)閃存，不過這就要依賴半導(dǎo)體設(shè)備廠商拿出更強大的極高深寬比刻蝕機了，日本東電公司在這方面已經(jīng)取得了一些進展。...

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