在今年于加州舊金山舉辦的第 67 屆國際電子器件會(huì)議（IEDM 2021）上，三星與 IBM 在“3D at the Device Level”討論環(huán)節(jié)宣布，其已攜手在下一代半導(dǎo)體芯片的設(shè)計(jì)技術(shù)上取得了重大突破。據(jù)悉，這項(xiàng)突破性的 VTFET 新技術(shù)，允許晶體管在垂直方向上堆疊。不僅有助于縮小半導(dǎo)體芯片的尺寸，還能夠使之變得更加強(qiáng)大和高效。談話期間，IBM 與三星解釋了如何通過將電路從水平改到垂直方向，同時(shí)讓占地面積縮小的半導(dǎo)體芯片更加強(qiáng)大和高效?...

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