中關(guān)村在線(xiàn)消息：12月30日，臺(tái)積電聯(lián)席CEO劉德音提到，相比于5nm工藝，3nm工藝的邏輯密度將增加60%，相同速度下功耗降低30-35%。但是3nm良率拉升難度飆升，臺(tái)積電為此已不斷修正3nm藍(lán)圖，且劃分出N3、N3E等多個(gè)3nm家族版本。
據(jù)悉，與目前的5納米芯片相比，3納米芯片將提供更好的性能，蘋(píng)果可能會(huì)在2023年開(kāi)始采用3納米處理器，3nm代工價(jià)格突破2萬(wàn)美元/片晶圓，也就是14萬(wàn)元左右才能加工一片12英寸晶圓，首批投片量只有數(shù)千片，目前只有蘋(píng)果有需求，臺(tái)積電在亞利桑那州的第一家美國(guó)工廠將于2024年開(kāi)業(yè)時(shí)開(kāi)始生產(chǎn)4納米芯片。
（舉報(bào)）
IEDM2024大會(huì)上，臺(tái)積電首次披露了N22nm工藝的關(guān)鍵技術(shù)細(xì)節(jié)和性能指標(biāo)：對(duì)比3nm，晶體管密度增加15％，同等功耗下性能提升15％，同等性能下功耗降低24-35％。臺(tái)積電2nm首次引入全環(huán)繞柵極納米片晶體管，有助于調(diào)整通道寬度，平衡性能與能效。按照臺(tái)積電的說(shuō)法，28nm工藝以來(lái)，歷經(jīng)六代工藝改進(jìn)，單位面積的能效比已經(jīng)提升了超過(guò)140倍！
據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電在其歐洲開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)論壇上宣布，N2PIP已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，所有客戶(hù)都可以基于臺(tái)積電的2nm節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)2nm芯片。其中A16還將結(jié)合臺(tái)積電的超級(jí)電軌架構(gòu)，也就是背部供電技術(shù)，這可以在正面釋放出更多的布局空間，提升邏輯密度和效能，適用于具有復(fù)雜訊號(hào)及密集供電網(wǎng)絡(luò)的高性能計(jì)算產(chǎn)品。3nm”與2nm”不僅僅是數(shù)字上的變化，它們代表的是半導(dǎo)體制造技術(shù)的全新高度，隨著制程技術(shù)的不斷精進(jìn)，晶體管尺寸日益縮小，這為在同一芯片上集成更多元件提供了可能，進(jìn)顯著提升處理器的運(yùn)算速度與能效比。
據(jù)供應(yīng)鏈消息，臺(tái)積電在新竹縣寶山工廠進(jìn)行了2nm工藝的試產(chǎn)工作，其良品率達(dá)到了60%，超過(guò)臺(tái)積電內(nèi)部預(yù)期。在2nm工藝節(jié)點(diǎn)上，臺(tái)積電的準(zhǔn)備可謂全面，在晶體管架構(gòu)上，臺(tái)積電要在2nm工藝上采用全新的GAA晶體管架構(gòu)，不同于傳統(tǒng)的FinFET架構(gòu)，這種技術(shù)能夠在性能和功耗上實(shí)現(xiàn)顯著提升。臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家表示，未來(lái)五年內(nèi)臺(tái)積電有望實(shí)現(xiàn)連續(xù)、健康的增長(zhǎng)，客戶(hù)對(duì)于2nm的詢(xún)問(wèn)多于3nm，看起來(lái)更受客戶(hù)的歡迎，2nm不但能復(fù)制3nm的成功，甚至有超越的勢(shì)頭。
聯(lián)電奪得高通高性能計(jì)算產(chǎn)品的先進(jìn)封裝大單，預(yù)計(jì)將應(yīng)用在AIPC、車(chē)用以及AI服務(wù)器市場(chǎng)，甚至包括HBM的整合。這也打破了先進(jìn)封裝代工市場(chǎng)由臺(tái)積電、英特爾、三星等少數(shù)廠商壟斷的態(tài)勢(shì)。高通采用聯(lián)電先進(jìn)封裝制程的新款高性能計(jì)算芯片有望在2025年下半年開(kāi)始試產(chǎn)，并在2026年進(jìn)入量產(chǎn)階段。
臺(tái)積電創(chuàng)辦人張忠謀在自傳下冊(cè)新書(shū)發(fā)表會(huì)上，對(duì)其兩大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Intel和三星的現(xiàn)狀進(jìn)行了點(diǎn)評(píng)。張忠謀認(rèn)為，三星目前的問(wèn)題是技術(shù)出了狀況非行政管理，加之韓國(guó)當(dāng)前的混亂局勢(shì)，對(duì)公司經(jīng)營(yíng)更是雪上加霜。如果董事會(huì)有策略只是還未公布，已在找可執(zhí)行的人，問(wèn)題就會(huì)比較簡(jiǎn)單。
博主數(shù)碼閑聊站爆料，明年下半年登場(chǎng)的高通驍龍8Elite2升級(jí)臺(tái)積電N3P工藝制程，同期的三星Exynos旗艦芯片將升級(jí)自家的SF2工藝制程。明年的部分旗艦產(chǎn)品策略有所調(diào)整，標(biāo)準(zhǔn)版和Pro版可能不一定是驍龍8Elite和驍龍8Elite2的產(chǎn)品組合是采用驍龍8sElite和驍龍8Elite2這樣的組合。小米16系列、REDMIK90系列、vivoX300系列、真我GT8Pro、iQOO14和一加14等旗艦都將首批搭載驍龍8Elite2處理器。
據(jù)報(bào)道，亞馬遜推出了第三代AI訓(xùn)練芯片Trainum3。新款芯片是首款采用3nm工藝節(jié)點(diǎn)制造的AWS芯片，能效提高了40%，性能翻倍提升。蘋(píng)果還在積極評(píng)估最新的AI芯片是否可用于預(yù)訓(xùn)練其AppleIntelligence模型，這無(wú)疑為AWS的AI芯片技術(shù)注入了更多的期待和可能性。
據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電在其歐洲開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)論壇上宣布，正在按計(jì)劃對(duì)其超大版本的CoWoS封裝技術(shù)進(jìn)行認(rèn)證。此項(xiàng)革新性技術(shù)核心亮點(diǎn)在于，它能夠支持多達(dá)9個(gè)光罩尺寸的中介層集成，并配備12個(gè)高性能的HBM4內(nèi)存堆棧，專(zhuān)為滿(mǎn)足最嚴(yán)苛的性能需求生。借助9個(gè)光罩尺寸的CoWoS封裝技術(shù)，臺(tái)積電預(yù)計(jì)客戶(hù)會(huì)將1.6nm芯片放置在2nm芯片之上。
盡管蘋(píng)果通常遵循每?jī)赡旮乱淮喂に嚬?jié)點(diǎn)的慣例，但有跡象表明，iPhone17系列將延續(xù)其3nm工藝，成為連續(xù)第三年使用同一工藝節(jié)點(diǎn)的設(shè)備。這一變化背后有多重原因，涉及到技術(shù)進(jìn)展、生產(chǎn)周期以及成本控制等多個(gè)因素。蘋(píng)果似乎更傾向于穩(wěn)步推進(jìn)3nm技術(shù)，以確保設(shè)備的可靠性和生產(chǎn)效率。
1994年，“東方明珠”廣播電視塔在上海黃浦江畔竣工。上?；ヂ?lián)網(wǎng)走過(guò)的每一步路，都為后來(lái)者開(kāi)啟了一個(gè)尚未到達(dá)領(lǐng)域的新起點(diǎn)。
