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1nm以下關(guān)鍵技術(shù) 英特爾研發(fā)2D芯片工藝

2023-06-22 09:02 · 稿源: 快科技

快科技6月21日消息,由于半導(dǎo)體工藝越來(lái)越復(fù)雜,摩爾定律10多年來(lái)一直被認(rèn)為放緩甚至失效,10nm以下制造難度加大,未來(lái)10年還要進(jìn)入1nm以下節(jié)點(diǎn),迫切需要更先進(jìn)的技術(shù)。

在這個(gè)領(lǐng)域,英特爾率先在22nm節(jié)點(diǎn)進(jìn)入FinFET晶體管時(shí)代,在20A、18A節(jié)點(diǎn)上則使用了RibbonFET和PowerVia兩項(xiàng)新技術(shù),再往后又需要改變晶體管結(jié)構(gòu)了,英特爾的目標(biāo)是全新的2D TMD材料。

其中的2D指的是單層原子組成的結(jié)晶體,TMD則是過(guò)渡金屬二硫化物的簡(jiǎn)稱,具體包括二硫化鉬(MoS2)、二硫化鎢(WS2)和二硒化鎢(WSe2)等材料,這些新材料可實(shí)現(xiàn)小于1nm的溝槽厚度,同時(shí)具有更好的帶隙和遷移率,也就是高性能、低功耗優(yōu)勢(shì)。

制備2D TMD材料并不容易,為此英特爾日前宣布跟歐洲CEA-Leti達(dá)成合作協(xié)議,開發(fā)300mm晶圓上的2D TMD層轉(zhuǎn)移技術(shù),后者是這方面的專家,可提供專業(yè)的鍵合及層轉(zhuǎn)移技術(shù)支持,便于英特爾制造出最終的硅基芯片。

這個(gè)過(guò)程可能需要很多年,英特爾的目標(biāo)是2030年之后繼續(xù)擴(kuò)展摩爾定律,也就是進(jìn)一步提升晶體管密度,提升性能,降低成本功耗等。

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