近日，在深圳舉辦的行家說(shuō)第三代半導(dǎo)體年會(huì)——碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上，數(shù)百家SiC&GaN企業(yè)代表齊聚一堂，共同探討和見(jiàn)證第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。在 12 月 12 日晚的頒獎(jiǎng)典禮上，英諾賽科憑借在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越貢獻(xiàn)和創(chuàng)新實(shí)力，榮獲“第三代半導(dǎo)體年度標(biāo)桿領(lǐng)軍企業(yè)”等三項(xiàng)榮譽(yù)，這也是英諾賽科連續(xù)第三年獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)的認(rèn)可。
“行家極光獎(jiǎng)”作為行業(yè)內(nèi)相當(dāng)影響力的獎(jiǎng)項(xiàng)，由行家說(shuō)創(chuàng)辦并每年舉辦一屆，旨在表彰在碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域持續(xù)進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新、推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的企業(yè)。本次頒獎(jiǎng)典禮特別設(shè)立了“十強(qiáng)企業(yè)榜單”“年度企業(yè)”和“年度優(yōu)秀產(chǎn)品”三大獎(jiǎng)項(xiàng)，以樹(shù)立行業(yè)標(biāo)桿，提升企業(yè)品牌認(rèn)知度和影響力，為行業(yè)發(fā)展注入更多創(chuàng)新力和推動(dòng)力。
作為氮化鎵功率半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者，英諾賽科擁有全球最 大的八英寸硅基氮化鎵晶圓生產(chǎn)制造能力，并率先實(shí)現(xiàn)了氮化鎵高、低壓芯片的量產(chǎn)。在 2024 年，英諾賽科繼續(xù)深耕氮化鎵平臺(tái)，基于高性能、高可靠性的八英寸晶圓，進(jìn)行了產(chǎn)品的研發(fā)和應(yīng)用技術(shù)的開(kāi)發(fā)與推廣，實(shí)現(xiàn)了行業(yè)內(nèi)的創(chuàng)新與突破。根據(jù)招股書(shū)，截至 2024 年 6 月 30 日，以折算氮化鎵分立器件計(jì)，累計(jì)出貨量超過(guò) 850 百萬(wàn)顆，彰顯了其在市場(chǎng)中的強(qiáng)勁實(shí)力。
在此次頒獎(jiǎng)典禮上，英諾賽科憑借先進(jìn)的氮化鎵技術(shù)和卓越的市場(chǎng)開(kāi)拓能力，被評(píng)為“第三代半導(dǎo)體年度標(biāo)桿領(lǐng)軍企業(yè)”和“中國(guó)氮化鎵十強(qiáng)企業(yè)”。這兩項(xiàng)榮譽(yù)的獲得，不僅是對(duì)英諾賽科在氮化鎵領(lǐng)域創(chuàng)新成果的肯定，更是對(duì)其在推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面所做貢獻(xiàn)的認(rèn)可。
除了企業(yè)榮譽(yù)外，英諾賽科的40V車規(guī)級(jí)產(chǎn)品INN040FQ04優(yōu)秀-Q也榮獲了“年度影響力產(chǎn)品”獎(jiǎng)。該產(chǎn)品是英諾賽科基于40V車規(guī)平臺(tái)開(kāi)發(fā)的一款超小封裝的氮化鎵車規(guī)芯片，已通過(guò)AEC-Q101 車規(guī)級(jí)認(rèn)證。該芯片具備小體積、低損耗、高頻高功率的優(yōu)點(diǎn)，是繼車載激光雷達(dá)之后第二款打入車規(guī)前裝市場(chǎng)的氮化鎵芯片。它可以滿足UMM（USB Multi-Connect Module）及UCM（USB Charging Module）等車載充電通訊模塊的大功率充電和高頻通訊需求，為新能源汽車的智能化、便捷化提供了有力支持。
值得一提的是，除了本次極光獎(jiǎng)的三項(xiàng)榮譽(yù)外，英諾賽科在 2024 年還榮獲了國(guó)際電子成就獎(jiǎng)（最 佳功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器）、“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)、GaN行業(yè)卓越獎(jiǎng)、OPPO2024 較具創(chuàng)新獎(jiǎng)等多項(xiàng)榮譽(yù)。這些榮譽(yù)的獲得，進(jìn)一步證明了英諾賽科在半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先地位和創(chuàng)新實(shí)力。
展望未來(lái)，英諾賽科將繼續(xù)秉持創(chuàng)新理念，不斷增強(qiáng)產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，與合作伙伴攜手共進(jìn)，為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)更多力量。
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