在深圳舉辦的行家說第三代半導(dǎo)體年會(huì)——碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上，數(shù)百家SiC&GaN企業(yè)代表齊聚一堂，共同探討和見證第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。在12月12日晚的頒獎(jiǎng)典禮上，英諾賽科憑借在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越貢獻(xiàn)和創(chuàng)新實(shí)力，榮獲“第三代半導(dǎo)體年度標(biāo)桿領(lǐng)軍企業(yè)”等三項(xiàng)榮譽(yù)，這也是英諾賽科連續(xù)第三年獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)的認(rèn)可。英諾賽科將繼續(xù)秉持創(chuàng)新理念，不斷增強(qiáng)產(chǎn)品競(jìng)爭力，與合作伙伴攜手共進(jìn)，為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)更多力量。...

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