雖然東芝/閃迪、Intel/美光都宣布了很牛叉的第二代3D堆疊閃存技術(shù)，但在這個領(lǐng)域，三星電子無疑是走得最快的，其第二代3D V-NAND閃存早已用在了850 EVO、850 Pro兩款產(chǎn)品上。

不過這二者都是2.5寸規(guī)格的，對于輕薄筆記本、迷你機來說有點大，所以三星再接再厲，推出了mSATA、M.2兩種迷你規(guī)格的新版850 EVO。

上一代的840 EVO還只有mSATA，不過因為M.2規(guī)格更加靈活強大，尤其是支持高速的PCI-E通道，所以正在逐漸取代mSATA，未來一片光明。

除了身材迷你，mSATA/M.2 850 EVO的規(guī)格基本上和2.5寸差不多，也是三星MGX主控制器(除了1TB用的是較老型號MEX)、三星40nm 32層堆疊128Gb(16GB) TLC V-NAND閃存顆粒、TurboWrite緩存加速技術(shù)、DevSleep深度休眠技術(shù)(功耗僅僅2毫瓦/1TB 4毫瓦)、AES-256/TCG Opal 2.0/eDrive加密技術(shù)。

mSATA版容量有120GB、250GB、500GB、1TB，緩存前三者都是512MB，最后一個1GB。前兩款支持每天寫入41GB，終身75TB，后兩者翻番到每天82GB、終身150TB。

性能方面，各容量驚人的一致：持續(xù)讀寫540MB/s、520MB/s，QD1 4KB隨機讀寫10000 IOPS、40000 IOPS，QD32 4KB隨機讀寫95000 IOPS、88000 IOPS。

功耗方面讀取3.5W、寫入4.3W。

M.2 2280版的容量只有120GB、250GB、500GB，緩存均為512MB，讀寫壽命同上。

之所以沒1TB，是因為三星用了單面設計(更適合輕薄本)，只能放下兩顆閃存。要說三星這16 Die封裝技術(shù)已經(jīng)很牛了，業(yè)內(nèi)獨一份。東芝也有，但良品率很低，導致成本高達1GB 1美元，是一般的三倍多。美光的則還停留在紙面上。

性能方面不同容量也都是一樣的：持續(xù)讀寫540MB/s、500MB/s，QD1 4KB隨機讀寫10000 IOPS、40000 IOPS，QD32 4KB隨機讀寫97000 IOPS、89000 IOPS。

沒錯，它雖然是M.2接口，但走的還是SATA 6Gbps通道，所以性能基本也就頂天了，這無疑是最為遺憾的。至于會不會有PCI-E通道版本的，三星沒說。

功耗方面讀取2.4W、寫入3.5W。

mSATA/M.2 850 EVO在全球53個國家和地區(qū)同時推出，價格方面以美國亞馬遜為例，四種容量分別要80美元、130美元、228美元、450美元，相比于mSATA 840 EVO低容量的便宜一點，高容量的貴了一點。

對比其他產(chǎn)品，它們不是最便宜的，但很有競爭力，特別是完整保留了2.5寸版850 EVO的靈魂，還有五年質(zhì)保。

AnandTech已經(jīng)對mSATA 250GB/1TB、M.2 120/500GB進行了詳細的性能測試，并對比了850 Pro 512GB、850 EVO 1TB。因為之前已經(jīng)考察過2.5寸版850 EVO的性能，這次基本就是換了個形態(tài)，所以并沒有太多驚喜，就不詳細介紹了。這里摘取一部分圖表給大家瞅瞅。

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