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12-20
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無(wú)源晶體不起振不工作？愛普生CE測(cè)試為您排憂解難
時(shí)鐘有偏差，產(chǎn)品不工作，甚至燒毀電路，罪魁禍?zhǔn)资蔷w？愛普生為客戶提供晶體回路評(píng)估服務(wù)，客戶只需提供電路板與原理圖，愛普生通過(guò)調(diào)整頻率、驅(qū)動(dòng)功率和起振能力，高效解決晶體回路精度不夠、不起振等問(wèn)題，為現(xiàn)代科技設(shè)備的高效穩(wěn)定運(yùn)行提供了堅(jiān)實(shí)保障。
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超過(guò)500億顆晶體管！蔚來(lái)宣布全球首顆5nm智能駕駛芯片神璣NX9031流片成功
在今天下午舉辦的NIOIN2024蔚來(lái)創(chuàng)新科技日上，蔚來(lái)李斌宣布，全球首顆5nm智能駕駛芯片神璣NX9031，流片成功。李斌現(xiàn)場(chǎng)展示了蔚來(lái)神璣NX9031和行業(yè)旗艦智駕芯片在同規(guī)格800萬(wàn)像素?cái)z像頭下的實(shí)拍對(duì)比。具體實(shí)際性能將在后續(xù)公布。
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耗資310億！美國(guó)旗艦?zāi)拘翘綔y(cè)任務(wù)麻煩了：晶體管不抗輻射
曾經(jīng)叱咤風(fēng)云的美國(guó)航天，如今各種不順利，宇航員在空間站回不來(lái)，重返月球一再推遲，對(duì)木衛(wèi)二的旗艦探測(cè)任務(wù)歐羅巴”也遇到了大麻煩：晶體管太脆弱，扛不住宇宙輻射。歐羅巴任務(wù)耗資42.5億美元，與卡西尼號(hào)木星探測(cè)器并駕齊驅(qū)，原計(jì)劃今年10月由SpaceX獵鷹重型火箭發(fā)射，2030年抵達(dá)木衛(wèi)二附近，研究木星最迷人的第二顆衛(wèi)星。另外一個(gè)問(wèn)題就是超支，推遲一年就得多花幾億美元。
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薦 蘋果深夜扔出M4核彈，iPad Pro碾壓所有AI PC！280億晶體管3nm工藝稱霸地表
【新智元導(dǎo)讀】蘋果發(fā)布會(huì)，一如既往的驚喜。地表最強(qiáng)iPadPro，號(hào)稱史上最薄蘋果產(chǎn)品。全新的「司貝手」，以及「鍵盤手」，都是由AI構(gòu)建，簡(jiǎn)單操控即可實(shí)現(xiàn)精彩表演。
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薦 臺(tái)積電董事長(zhǎng)預(yù)測(cè)：未來(lái)15年每瓦GPU性能提升1000倍，GPU晶體管數(shù)破萬(wàn)億！
GTC2024大會(huì)上，老黃祭出世界最強(qiáng)GPU——BlackwellB200，整整封裝了超2080億個(gè)晶體管。比起上一代H100，B200晶體管數(shù)是其2倍多訓(xùn)AI性能直接飆升5倍，運(yùn)行速度提升30倍。我們將不再被過(guò)去的限制所束縛。
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2080億晶體管！英偉達(dá)推出最強(qiáng)AI芯片GB200：今年上市
在英偉達(dá)GTC2024大會(huì)上，英偉達(dá)CEO黃仁勛在GTC宣布推出新一代GPUBlackwell。第一款Blackwell芯片名為GB200，將于今年晚些時(shí)候上市。GB200包含了兩個(gè)B200BlackwellGPU和一個(gè)基于Arm的GraceCPU組成，推理大語(yǔ)言模型性能比H100提升30倍，成本和能耗降至25分之一。
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哥哥幫妹妹換紙尿褲劃破眼球：需植入人工晶體
在廣東東莞，一位年僅10歲的男童小煦，出于好意想幫助家中幾個(gè)月大的妹妹更換紙尿褲。在拆開紙尿褲包裝的過(guò)程中，他不幸被剪刀劃傷了右眼。家長(zhǎng)也要教育孩子們?cè)谑軅蚋械讲贿m時(shí)，及時(shí)告知家長(zhǎng)，以便得到及時(shí)的治療和照顧。
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NVIDIA GPU弱爆了！世界第一AI芯片升級(jí)4萬(wàn)億晶體管、90萬(wàn)核心
CerebrasSystems發(fā)布了他們的第三代晶圓級(jí)AI加速芯片WSE-3”，規(guī)格參數(shù)更加瘋狂在功耗、價(jià)格不變的前提下性能翻了一番。2019年的第一代WSE-1基于臺(tái)積電16nm工藝，面積46225平方毫米，晶體管1.2萬(wàn)億個(gè)，擁有40萬(wàn)個(gè)AI核心、18GBSRAM緩存，支持9PB/s內(nèi)存帶寬、100Pb/s互連帶寬，功耗高達(dá)15千瓦。WSE-3的具體功耗、價(jià)格沒公布，根據(jù)上代的情況看應(yīng)該在200多萬(wàn)美元。
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全能輕薄大折疊！vivo X Fold3入網(wǎng)：雙層晶體管、超聲波指紋均在列
近日，有兩款vivo新機(jī)入網(wǎng)工信部，預(yù)計(jì)是即將發(fā)布的vivo大折疊XFold3，以及XFold3Pro。根據(jù)數(shù)碼博主數(shù)碼閑聊站此前的爆料信息來(lái)看，vivo新款折疊機(jī)將搭載驍龍8Gen3移動(dòng)平臺(tái)，影像能力得到重大提升。目前這兩款新機(jī)的差異我們還不得知，不過(guò)據(jù)該博主透露，vivoXFold3系列新機(jī)最快將會(huì)在今年3月份登場(chǎng)，敬請(qǐng)期待。
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折疊影像天花板！vivo X Fold3首曝：驍龍8 Gen3 雙層晶體管CMOS
今天，數(shù)碼博主@數(shù)碼閑聊站發(fā)布了，關(guān)于vivoXFold3折疊屏手機(jī)的部分配置信息。該博主表示，vivoXFold3將采用高通驍龍8Gen3處理器，搭載5000萬(wàn)像素大底三攝，其中包含一顆潛望鏡，主攝則是采用了雙層晶體管傳感器。支持120W有線快充50W無(wú)線快充，后置5000萬(wàn)像素大底主攝1200萬(wàn)像素廣角主攝1200萬(wàn)像素人像攝像頭，前置1600萬(wàn)像素鏡頭，起售價(jià)為8999元。
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運(yùn)行AI最快芯片“北極”面世：220億晶體管 速度是同類芯片22倍
快科技10月23日消息，美國(guó)IBM公司最新推出了一款類腦芯片北極”，其運(yùn)行由人工智能驅(qū)動(dòng)的圖像識(shí)別算法的速度是同類商業(yè)芯片的22倍，能效是同類芯片的25倍。據(jù)了解，因受到了人腦工作方式的啟發(fā)，北極”芯片將其計(jì)算模塊與存儲(chǔ)信息的模塊交織在一起，允許每個(gè)計(jì)算核心像訪問(wèn)相鄰的存儲(chǔ)塊一樣輕松地訪問(wèn)遠(yuǎn)程存儲(chǔ)塊，大大加快了計(jì)算單元和存儲(chǔ)單元之間信息交換的速度
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索尼雙層晶體管像素！一加Open折疊屏旗艦曝光
根據(jù)爆料人士OnLeaks的曝光，一加Open折疊屏旗艦的真機(jī)照片已經(jīng)曝光。這款手機(jī)將在海外上市發(fā)售國(guó)行版本將對(duì)應(yīng)OPPOFindN3。在參數(shù)方面，OPPOFindN3將搭載高通驍龍8Gen2移動(dòng)平臺(tái)，預(yù)計(jì)于10月份發(fā)布。
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全新GPU光追超越所有！蘋果正式發(fā)布A17 PRO處理器：3nm 190億晶體管
iPhone15Pro系列帶來(lái)了全新的處理器，但不是傳說(shuō)中的A17Bionic是叫做A17PRO”，實(shí)現(xiàn)了又一次進(jìn)化。相比上代A16，這次的A17PRO處理器制造工藝從臺(tái)積電4nm升級(jí)到臺(tái)積電3nm，晶體管數(shù)量從160億個(gè)增加到190億個(gè)。高通、聯(lián)發(fā)科雖然早已硬件支持實(shí)時(shí)光追，但在游戲落地方面進(jìn)展極為緩慢，現(xiàn)在有了蘋果的帶動(dòng)，相信大家很快就能玩上各種光追手游了。
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OPPO Find N3要用！OPPO索尼合作推出雙層晶體管像素技術(shù)
索尼半導(dǎo)體今日官宣，旗下光喻LYTIA圖像傳感器品牌與OPPO合作，聯(lián)合推出擁有雙層晶體管像素技術(shù)的LYTIA圖像傳感器。索尼半導(dǎo)體早在2021年就推出雙層晶體管像素技術(shù)，這次OPPO與索尼半導(dǎo)體合作，配合算法，OPPO新機(jī)在影像方面應(yīng)該會(huì)有不錯(cuò)表現(xiàn)。OPPOFindN3已經(jīng)入網(wǎng)，型號(hào)為PHN110”，預(yù)計(jì)搭載第二代驍龍8移動(dòng)平臺(tái)將提供16GB1TB超大內(nèi)存版本，可以滿足用戶對(duì)大容量?jī)?nèi)存的需求。
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我國(guó)研制出新型光學(xué)晶體：可滿足晶圓檢測(cè)需求
中國(guó)科學(xué)院成功研制出一種新型非線性光學(xué)晶體，可以實(shí)現(xiàn)整個(gè)透光范圍內(nèi)的激光輸出，滿足我國(guó)半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)等領(lǐng)域的重大需求。非線性光學(xué)晶體是獲得不同波長(zhǎng)激光的物質(zhì)條件和源頭。研究者表示，在晶體制備方面，研究團(tuán)隊(duì)已獲中國(guó)發(fā)明專利授權(quán)，并已向歐洲、美國(guó)、日本等提交國(guó)際專利申請(qǐng)。
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全球首個(gè)木質(zhì)晶體管出世：長(zhǎng)約3厘米 可承受高電流沖擊
快科技5月8日消息，眾所周知，電子器件的核心部件是晶體管，它可以控制電流的開關(guān)和大小，從而實(shí)現(xiàn)各種計(jì)算和信號(hào)處理。目前，晶體管的主要材料是硅，因?yàn)樗哂辛己玫陌雽?dǎo)體特性，可以在微觀尺度上制造出高性能的晶體管。不過(guò)硅晶體管也面臨著一些挑戰(zhàn)，比如制造成本、能耗、環(huán)境影響等。近期，瑞典皇家理工學(xué)院和林雪平大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)取得了進(jìn)展，首次成功地使用導(dǎo)電木頭制造出了晶體管。這種晶體管不僅可以控制電流，而且還具有可降解、可持續(xù)、低成本等優(yōu)點(diǎn)。研究人員使用巴沙木作為原料，因?yàn)樗兄鶆蚨鵁o(wú)紋理的結(jié)構(gòu)。他們首先去除
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Intel提了個(gè)小目標(biāo)：處理器能效將提升10倍 集成1萬(wàn)億晶體管
Intel的創(chuàng)始人之一的戈登摩爾是摩爾定律的提出者，指出芯片晶體管密度18-24個(gè)月翻倍，50多年來(lái)Intel也是最堅(jiān)定的摩爾定律捍衛(wèi)者，盡管這幾年中質(zhì)疑定律失效的聲音也越來(lái)越多。摩爾定律需要半導(dǎo)體工藝2年左右就要升級(jí)一代，才能實(shí)現(xiàn)晶體管翻倍的目標(biāo)，對(duì)當(dāng)前的芯片工藝來(lái)說(shuō)難度可不小，不過(guò)Intel依然有辦法，接下來(lái)會(huì)大量使用先進(jìn)工藝及封裝，小芯片設(shè)計(jì)、3D封裝等手段可以不斷提升密度。想象力夠豐富的可以暢想下2030年的CPU、顯卡有多強(qiáng)大了。
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1460億晶體管！AMD全球首創(chuàng)超級(jí)APU MI300下半年見
APU，AMD最成功的概念和產(chǎn)品之一，除了在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)上大受歡迎將在數(shù)據(jù)中心、超算領(lǐng)域大放異彩。這就是Instinct MI300”，AMD的新一代加速器/計(jì)算卡，號(hào)稱全球第一款數(shù)據(jù)中心整合CPU+GPU，一改以往Instinct系列產(chǎn)品只有GPU的設(shè)計(jì)，首次采用融合架構(gòu)。Intel的要到明年才會(huì)出貨。
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一萬(wàn)億個(gè)晶體管的處理器來(lái)了！Intel重大決定：密度再翻10倍 兩步實(shí)現(xiàn)
一萬(wàn)億個(gè)晶體管的單芯片要來(lái)了。單個(gè)封裝可以放入1千億個(gè)晶體管。對(duì)于摩爾定律”可行性的爭(zhēng)論在半導(dǎo)體業(yè)界時(shí)有發(fā)生，但由此來(lái)看，Intel仍是摩爾定律的堅(jiān)定支持者。
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英特爾繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律，為在2030年打造出萬(wàn)億晶體管芯片鋪平道路
在晶體管誕生 75 周年之際，英特爾在IEDM2022 上宣布將把封裝技術(shù)的密度再提升 10 倍，并使用厚度僅三個(gè)原子的新材料推進(jìn)晶體管微縮。在IEDM 2022上，英特爾發(fā)布了多項(xiàng)突破性研究成果，繼續(xù)探索技術(shù)創(chuàng)新，以在未來(lái)十年內(nèi)持續(xù)推進(jìn)摩爾定律，最終實(shí)現(xiàn)在單個(gè)封裝中集成一萬(wàn)億個(gè)晶體管。英特爾繼續(xù)引入新的物理學(xué)概念，制造用于量子計(jì)算的性能更強(qiáng)的量子位：英特爾的研究人員加深了對(duì)各種界面缺陷的認(rèn)識(shí)，這些缺陷可能會(huì)成為影響量子數(shù)據(jù)的環(huán)境干擾，從找到了儲(chǔ)存量子信息的更好方法。
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臺(tái)積電4N 5nm威武！4080 12GB晶體管竟遠(yuǎn)超3090Ti 卻小了一半
－RTX408016GBAD103：378.6平方毫米、459億晶體管、1.211億/平方毫米...－RTX408012GBAD104：294.5平方毫米、358億晶體管、1.211億/平方毫米...三個(gè)核心在單位平方毫米上集成的晶體管都超過(guò)了1.2億個(gè)，AD103、AD104還完全一樣，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了臺(tái)積電8nm工藝RTX3090/TiGA102核心的4510萬(wàn)個(gè)...更驚人的是，AD104作為一個(gè)小核心，晶體管數(shù)量比GA102大核心還要多足足75億個(gè)，但面積還不到后者的一半，縮小了多達(dá)53％！......
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NVIDIA發(fā)布全新汽車芯片Thor：8倍性能、770億晶體管“核彈”
NVIDIA昨晚發(fā)布了RTX40系列顯卡，這是游戲玩家最關(guān)注的產(chǎn)品，但對(duì)汽車用戶來(lái)說(shuō)，NVIDIA發(fā)布的Thor（雷神索爾）自駕芯片才是王炸，其性能達(dá)到了2000TFLOPS，是目前Orin芯片的8倍...NVIDIA去年發(fā)布了Orin迭代升級(jí)的自駕芯片Altan，性能從Orin的275TFLOPS提升到了1000TFLOPS，原本預(yù)定2024年上市，然而NVIDIA現(xiàn)在推出了Thor芯片，直接替代了Altan，后者會(huì)被取消，不再上市......
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英偉達(dá)RTX 40系列AD102旗艦GPU或封裝多達(dá)750億個(gè)晶體管
據(jù) @Kopite7kimi 周二推特爆料，英偉達(dá) RTX 40 系列 Ada Lovelace 旗艦 GPU（AD102）將配備多達(dá) 750 億個(gè)晶體管 —— 達(dá)到上一代 RTX 30 系列 Ampere 旗艦 GPU（GA102）的 2.65 倍...由于目前所見的大多數(shù)非公版旗艦顯卡都采用了“風(fēng)冷”散熱方案，除非 TGP 功耗超過(guò) 600W，否則英偉達(dá)不大可能為 RTX 40 的旗艦 FE 顯卡提供水冷散熱器......
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NVIDIA 4nm RTX40顯卡將有750億晶體管！2.65倍于8nm RTX30
權(quán)威博主kopite7kimi曝出最新猛料，RTX40系列的大核心AD102，要用于RTX4090、RTX4090Ti的，將會(huì)集成多達(dá)750億個(gè)晶體管！...RTX30系列大核心GA102集成了283億個(gè)晶體管，AD102是它的多達(dá)2.65倍，是近年來(lái)增幅最大的一次...再往前，12nmTU102186億個(gè)，12nmGV100211億個(gè)，16nmGP102120億個(gè)，它們的密度都是2500萬(wàn)個(gè)/平方毫米，GA102大幅增加到了4510萬(wàn)個(gè)/平方毫米......
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蘋果正式發(fā)布A16處理器！4nm 160億晶體管、6+5+16核心
iPhone 14、iPhone 14 Plus果然使用了上代A15處理器，iPhone 14 Pro、iPhone 14 Pro Max則毫無(wú)疑問(wèn)升級(jí)為最新一代A16 Bionic...A16重點(diǎn)提升能效、顯示和拍照性能，制造工藝從臺(tái)積電5nm升級(jí)為臺(tái)積電4nm，晶體管數(shù)量從150億個(gè)增加到160億個(gè)，再創(chuàng)新紀(jì)錄...GPU核心還是5個(gè)，神經(jīng)引擎繼續(xù)16核心，每秒算力從15.8萬(wàn)億次增加到17萬(wàn)億次，提升幅度不到8％，對(duì)比上代34％有點(diǎn)牙膏了......
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AMD“Zen 4”芯片、晶體管數(shù)量、緩存大小和延遲細(xì)節(jié)初步解析
Chiakokhua（又名退休工程師）發(fā)布了一張表格，詳細(xì)介紹了各種緩存及其延遲，并與"Zen 3"內(nèi)核的緩存進(jìn)行了比較...Zen 4"CCD的晶體管數(shù)量為65.7億，比"Zen 3"CCD及其41.5億晶體管數(shù)量增加了58%...新的6納米cIOD尺寸為124.7平方毫米，Ryzen 5000系列的cIOD略大124.9平方毫米..."Raphael"多芯片模塊為6核和8核SKU配備一個(gè)CCD，為12核和16核SKU配備兩個(gè)CCD......
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三星宣布開始為客戶代工試生產(chǎn)其 3nm GAA環(huán)柵晶體管芯片
三星電子今天宣布，其已開始用3nm 工藝節(jié)點(diǎn)來(lái)為客戶代工制造 GAA 環(huán)柵晶體管芯片...三星還稱，第二代3納米 GAA 制造工藝也正在研發(fā)中，這種第二代工藝將使芯片功耗降低達(dá)50%，性能提高30%，面積減少35%...為突破鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）的性能限制，三星選擇了多橋通道 FET技術(shù)來(lái)制造首批 GAA 晶體管芯片...
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三星宣布開始用3nm工藝節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)GAA環(huán)柵晶體管芯片
作為全球半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，三星電子剛剛宣布，其已開始用 3nm 工藝節(jié)點(diǎn)來(lái)制造 GAA 環(huán)柵晶體管芯片...通過(guò)展示業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的下一代芯片制造工藝，三星希望在高 K 金屬柵極、FinFET 和 EUV 之外，通過(guò) 3nm MBCEFT 工藝來(lái)繼續(xù)保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)...與 5nm 公司相比，三星電子初代 3nm GAA 工藝可較 5nm 降低多達(dá) 45% 的功耗，同時(shí)提升 23% 的性能和減少 16% 的面積占用......
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全球首發(fā)全柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管！三星將量產(chǎn)3nm工藝 功耗比暴降50%
三星稱其實(shí)施的3納米GAAFET晶體管為多橋通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管，但這只是晶體管的一個(gè)技術(shù)名稱，它背后的優(yōu)勢(shì)才是關(guān)鍵：功率減少50%，占用的空間減少45%，并能在極低電壓下更穩(wěn)定地運(yùn)行...
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M2版MacBook Pro硬盤變慢 蘋果客服回應(yīng)：晶體管增多 能效提升
日前蘋果的M2版MacBook Pro筆記本爆出了性能問(wèn)題，256GB版性能比上代慢了50%左右，不過(guò)蘋果客服回應(yīng)稱這是因?yàn)镸2晶體管增多，但它在能效上提升了...不過(guò)蘋果客服的這一回應(yīng)引發(fā)了網(wǎng)友吐槽，筆記本SSD硬盤速度變慢跟M2晶體管有什么關(guān)系？這個(gè)解釋爐頭不對(duì)馬嘴，顯然是蘋果客服并不了解這次SSD變慢到底是什么情況，只好用一些培訓(xùn)過(guò)的術(shù)語(yǔ)來(lái)敷衍過(guò)去......
