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全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),面向包括xEV在內的動力傳動系統等車載系統,開發(fā)出200V耐壓的超低IR※ 1 肖特基勢壘二極管※2(以下簡稱“SBD”)“RBxx8BM200”“RBxx8NS200”。RBxx8BM/NS200 是RBxx8 系列的新產品,該系列產品是可在高溫環(huán)境下工作的超低IR SBD,已經在日本國內的汽車市場取得非常優(yōu)異的業(yè)績。此次,利用其超低IR特性,實現了高達200V的耐壓,可替換以往在汽車中普遍使用的整流二極管※ 3 和快速恢?
碳化硅(SiC)功率器件的出現大大提升了半導體器件的性能,對電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重要意義。作為較早實現產業(yè)化的 SiC 器件,碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)能提供近乎理想的動態(tài)性能。近日,基本半導體自主研發(fā)的650 -1700V 3D SiC?系列 SiC JBS已火熱上市,憑借其優(yōu)越性能廣受市場追捧。SiC JBS產品優(yōu)勢 作為單極型器件,SiC JBS在工作過程中沒有少數載流子儲存,其反向恢復電流主要取決于耗盡層結電容,反向恢復電荷以及反向恢復損
“以品牌品質為內核,打造專業(yè)的半導體服務商?!鄙钲谑泄痰梦挚穗娮佑邢薰究偨浝?蘇玫樹【人物簡介】深圳市固得沃克電子有限公司(以下簡稱“固得沃克”)總經理蘇玫樹。作為家中長子,蘇玫樹在正式接手家業(yè)后,在公司原有的十幾年經營基礎上做出了一系列創(chuàng)新的戰(zhàn)略布局,推動公司緊跟市場趨勢,向著一家專業(yè)的半導體服務商方向不斷發(fā)展前進。步步為營 大膽嘗試創(chuàng)新戰(zhàn)略布局截止到 2008 年,固得沃克公司已經有了十余年的經營歷
全球知名半導體制造商ROHM開發(fā)出非常適用于服務器和高端計算機等的電源PFC電路※1的、第3代SiC(Silicon Carbide:碳化硅)肖特基勢壘二極管(以下稱“SiC-SBD”)“SCS3系列”。
根據美國商標和專利局最新公布的清單,三星于11月27日獲得了名為“DuoPixel”的設備或服務商標,在即將發(fā)布的GalaxyS7可能會扮演非常重要的角色。目前很難明確“DuoPixel”的意思,但在上個月我們曾報道三星正為GalaxyS7測試全新的1200萬像素1/2英寸相機傳感器,而該傳感器的像素尺寸要遠大于現有主流智能手機相機尺寸,并將充分利用雙光電二極管技術。