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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都),面向包括xEV在內(nèi)的動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)等車載系統(tǒng),開發(fā)出200V耐壓的超低IR※ 1 肖特基勢(shì)壘二極管※2(以下簡稱“SBD”)“RBxx8BM200”“RBxx8NS200”。RBxx8BM/NS200 是RBxx8 系列的新產(chǎn)品,該系列產(chǎn)品是可在高溫環(huán)境下工作的超低IR SBD,已經(jīng)在日本國內(nèi)的汽車市場(chǎng)取得非常優(yōu)異的業(yè)績。此次,利用其超低IR特性,實(shí)現(xiàn)了高達(dá)200V的耐壓,可替換以往在汽車中普遍使用的整流二極管※ 3 和快速恢?
碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導(dǎo)體器件的性能,對(duì)電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重要意義。作為較早實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的 SiC 器件,碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)能提供近乎理想的動(dòng)態(tài)性能。近日,基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的650 -1700V 3D SiC?系列 SiC JBS已火熱上市,憑借其優(yōu)越性能廣受市場(chǎng)追捧。SiC JBS產(chǎn)品優(yōu)勢(shì) 作為單極型器件,SiC JBS在工作過程中沒有少數(shù)載流子儲(chǔ)存,其反向恢復(fù)電流主要取決于耗盡層結(jié)電容,反向恢復(fù)電荷以及反向恢復(fù)損
“以品牌品質(zhì)為內(nèi)核,打造專業(yè)的半導(dǎo)體服務(wù)商?!鄙钲谑泄痰梦挚穗娮佑邢薰究偨?jīng)理 蘇玫樹【人物簡介】深圳市固得沃克電子有限公司(以下簡稱“固得沃克”)總經(jīng)理蘇玫樹。作為家中長子,蘇玫樹在正式接手家業(yè)后,在公司原有的十幾年經(jīng)營基礎(chǔ)上做出了一系列創(chuàng)新的戰(zhàn)略布局,推動(dòng)公司緊跟市場(chǎng)趨勢(shì),向著一家專業(yè)的半導(dǎo)體服務(wù)商方向不斷發(fā)展前進(jìn)。步步為營 大膽嘗試創(chuàng)新戰(zhàn)略布局截止到 2008 年,固得沃克公司已經(jīng)有了十余年的經(jīng)營歷
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開發(fā)出非常適用于服務(wù)器和高端計(jì)算機(jī)等的電源PFC電路※1的、第3代SiC(Silicon Carbide:碳化硅)肖特基勢(shì)壘二極管(以下稱“SiC-SBD”)“SCS3系列”。
根據(jù)美國商標(biāo)和專利局最新公布的清單,三星于11月27日獲得了名為“DuoPixel”的設(shè)備或服務(wù)商標(biāo),在即將發(fā)布的GalaxyS7可能會(huì)扮演非常重要的角色。目前很難明確“DuoPixel”的意思,但在上個(gè)月我們?cè)鴪?bào)道三星正為GalaxyS7測(cè)試全新的1200萬像素1/2英寸相機(jī)傳感器,而該傳感器的像素尺寸要遠(yuǎn)大于現(xiàn)有主流智能手機(jī)相機(jī)尺寸,并將充分利用雙光電二極管技術(shù)。