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NVIDIABlackwellGPU系列產(chǎn)品無(wú)疑是AI市場(chǎng)上的頭號(hào)寵兒,甚至未來(lái)半年的產(chǎn)能都賣(mài)光了,NVIDIA對(duì)于產(chǎn)業(yè)鏈的供應(yīng)也十分饑渴,比如臺(tái)積電CoWoS封裝,比如HBM內(nèi)存芯片。SK海力士董事長(zhǎng)崔泰源就透露,他們?cè)?jì)劃2025年下半年向客戶供貨下一代HBM4芯片,但是黃仁勛明確要求,必須加快速度,提前6個(gè)月交貨。不過(guò)在Rubin之前會(huì)有一代升級(jí)版的BlackwellUltraB300系列是搭配HBM3E。
在SKIcheonForum2024論壇上,SK海力士副總裁RyuSeong-su宣布,該公司正計(jì)劃開(kāi)發(fā)一種新的HBM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),該標(biāo)準(zhǔn)將比目前HBM產(chǎn)品快20-30倍。RyuSeong-su表示,公司的目標(biāo)是推出性能大幅提升的差異化產(chǎn)品,以期在HBM市場(chǎng)中取得領(lǐng)先地位。SK海力士還表達(dá)了創(chuàng)建其存儲(chǔ)半導(dǎo)體的意向,根據(jù)計(jì)劃,SK海力士和三星都計(jì)劃在2025年中或年底之前發(fā)布各自的HBM4產(chǎn)品,以便及時(shí)集成到下一代產(chǎn)品中,如英偉達(dá)Robin等架構(gòu)。
快科技6月25日消息,據(jù)媒體報(bào)道,SK海力士在近期于美國(guó)夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上,重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果,展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息,SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展,并首次詳細(xì)公布了其開(kāi)發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開(kāi)發(fā),并已取得重大突破。SK海力士透露,目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%,這一數(shù)據(jù)意味著在單個(gè)測(cè)試晶圓上,能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元,其中超過(guò)一半(即561個(gè))為良品,可用于實(shí)際應(yīng)用。此外,SK海力士的實(shí)驗(yàn)性3
快科技5月9日消息,SK海力士今日宣布,已成功開(kāi)發(fā)出新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品ZUFS 4.0”,專為端側(cè)AI手機(jī)優(yōu)化。SK海力士表示,ZUFS 4.0是業(yè)界最高性能的移動(dòng)端NAND閃存解決方案,它通過(guò)區(qū)分?jǐn)?shù)據(jù)特性進(jìn)行管理,與現(xiàn)有UFS相比,ZUFS采用分區(qū)存儲(chǔ)方式,顯著提升了手機(jī)操作系統(tǒng)的運(yùn)行速度和存儲(chǔ)設(shè)備的數(shù)據(jù)管理效率。在長(zhǎng)期使用環(huán)境下,ZUFS 4.0相比現(xiàn)有UFS,能夠使手機(jī)應(yīng)用程序的運(yùn)行時(shí)間提升約45%,并且在存儲(chǔ)讀寫(xiě)性能下降方面實(shí)現(xiàn)了超過(guò)4倍的改善,從而將產(chǎn)品的使用壽命提升了約40%。SK海力士自2019年起便與全球平臺(tái)企業(yè)合作開(kāi)發(fā)ZUF
2024年對(duì)于英雄聯(lián)盟職業(yè)聯(lián)賽言意義非凡,作為該項(xiàng)賽事“新十年”的開(kāi)啟節(jié)點(diǎn),是電競(jìng)迷關(guān)注的焦點(diǎn)。今年英雄聯(lián)盟全球季中冠軍賽更是將于2024年5月在成都舉辦,眾多LPL戰(zhàn)隊(duì)為了有機(jī)會(huì)能在國(guó)內(nèi)無(wú)數(shù)電競(jìng)迷面前展現(xiàn)硬核實(shí)力,勢(shì)必會(huì)在春季賽中展開(kāi)激烈的比拼。此次Lexar雷克沙與BLG電子競(jìng)技俱樂(lè)部英雄聯(lián)盟分部強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,開(kāi)啟戰(zhàn)略合作新征程,代表著Lexar雷克沙在電競(jìng)領(lǐng)域的進(jìn)一步布局,通過(guò)“組合拳”激發(fā)更多玩法,持續(xù)為全球電競(jìng)玩家?guī)?lái)更多性能卓越的存儲(chǔ)產(chǎn)品。
據(jù)中國(guó)地震臺(tái)網(wǎng)正式測(cè)定,今天7時(shí)58分在中國(guó)臺(tái)灣花蓮縣海域發(fā)生7.3級(jí)地震,震源深度12千米。臺(tái)灣氣象署地震測(cè)報(bào)中心主任吳健富表示,此次地震是自1999年9月21日臺(tái)中山區(qū)地震發(fā)生25年以來(lái)最大的地震。TrendForce還預(yù)計(jì),短期內(nèi)DRAM現(xiàn)貨價(jià)格會(huì)有小幅漲幅,但需求疲弱態(tài)勢(shì)不變,漲價(jià)的延續(xù)性有待觀察。
快科技3月24日消息,據(jù)媒體報(bào)道,SK海力士計(jì)劃在韓國(guó)京畿道中部的龍仁市投資興建一座龐大的半導(dǎo)體生產(chǎn)園區(qū),耗資至少120萬(wàn)億韓元(約合907億美元)。據(jù)悉,新的半導(dǎo)體生產(chǎn)園區(qū)包括四座獨(dú)立的晶圓廠,將成為全球范圍內(nèi)規(guī)模最大的三層晶圓廠。SK海力士于2019年公布開(kāi)發(fā)計(jì)劃,但由于許可問(wèn)題,開(kāi)發(fā)被推遲。SK海力士表示,通過(guò)中央和地方政府以及企業(yè)2022年達(dá)成的協(xié)議,這項(xiàng)計(jì)劃已獲得進(jìn)展。根據(jù)SK海力士的規(guī)劃,新的生產(chǎn)園區(qū)將于2025年3月正式破土動(dòng)工,首座晶圓廠預(yù)計(jì)將在2027年完工,整個(gè)園區(qū)的建設(shè)工程則預(yù)計(jì)將在2046年全面竣工。目前,關(guān)
HBM4內(nèi)存帶來(lái)的升級(jí)之一,就是采用了2048位接口,從實(shí)現(xiàn)更高的帶寬,這也是HBM4內(nèi)存最大的變化,不過(guò)唯一的問(wèn)題就是成本較高,與消費(fèi)者無(wú)緣,但也可以說(shuō)是HPC、AI領(lǐng)域的專屬。據(jù)韓國(guó)《每日經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道,臺(tái)積電和SK海力士已成立所謂的AI半導(dǎo)體聯(lián)盟。HBM類產(chǎn)品前后經(jīng)過(guò)了HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E的開(kāi)發(fā),其中HBM3E是HBM3的擴(kuò)展版本HBM4將是第六代產(chǎn)品。
OpenAI首席執(zhí)行官SamAltman計(jì)劃于周五訪問(wèn)韓國(guó),并與三星電子和SK海力士的高層會(huì)面。此次會(huì)議旨在探討人工智能技術(shù)在芯片領(lǐng)域的應(yīng)用,并探討未來(lái)的合作機(jī)會(huì)。這次會(huì)議有望促進(jìn)AI技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用,推動(dòng)人工智能在各個(gè)領(lǐng)域的進(jìn)一步應(yīng)用。
韓國(guó)ChosunBiz近日?qǐng)?bào)道,NVIDIA已經(jīng)向SK海力士、鎂光,交付了700億至1萬(wàn)億韓元的預(yù)付款,業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)了這筆款項(xiàng)在10.8億美元到15.4億美元之間。雖然沒(méi)有說(shuō)明具體用途,但業(yè)界普遍認(rèn)為,NVIDIA是為了確保2024年HBM供應(yīng)穩(wěn)定,避免新一代AI、HPCGPU因?yàn)榘l(fā)布后庫(kù)存不足掉鏈子。畢竟在NVIDIA在AI、HPC領(lǐng)域遙遙領(lǐng)先,這也是為什么需要大量HBM內(nèi)存,來(lái)確保H200GPU、以及GH200超級(jí)芯片的產(chǎn)品供應(yīng)。