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閃迪發(fā)布最快1TB閃存卡：160MB/s 售價約3000元
西部數(shù)據(jù)旗下閃迪公司在MWC2019 上公布了世界上最快的1TB UHS-I microSD閃存卡，即1TB SanDisk Extreme UHS-I microSDXC卡，售價為449. 99 美元，約合人民幣 3000 元。
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PQI Air Card：自帶Wi-fi的閃存卡 即時分享精彩畫面
外出旅游或者參加聚會時，由于種種限制，拍攝的照片和視頻無法第一時間和自己的親朋好友分享，不過有了PQI Air Card，這些問題都不再是問題，PQI Air Card采用最新的Wi-Fi技術(shù)，無需數(shù)據(jù)線，可以即時和他人分享你的影音照片。
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谷歌承認(rèn)Pixel 9系列用UFS 3.1閃存：頂配售價過萬
谷歌確認(rèn)Pixel9系列標(biāo)配UFS3.1閃存，沒有使用更新的UFS4.0標(biāo)準(zhǔn)。對于谷歌的做法，有網(wǎng)友認(rèn)為說不過去，畢竟Pixel9ProXL和Pixel9ProFold售價超過了1000美元，Pixel9ProFold512GB版本售價達到了1919美元，同價位的三星GalaxyS24Ultra則是標(biāo)配UFS4.0閃存。目前UFS4.0閃存已在高端旗艦上成為標(biāo)配，但谷歌仍然停留在UFS3.1時代。
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GMIF2024：西部數(shù)據(jù)閃存先進技術(shù)副總裁李艷博士將分享主題演講
GMIF2024:西部數(shù)據(jù)閃存先進技術(shù)副總裁李艷博士將分享《3DQLCNANDFlash拓展及其應(yīng)用》主題演講。9月27日，第三屆GMIF2024創(chuàng)新峰會將在深圳灣萬麗酒店舉辦，本屆峰會以“AI驅(qū)動，存儲復(fù)蘇”為主題，將圍繞存儲器市場復(fù)蘇與AI新興應(yīng)用市場帶動下的產(chǎn)業(yè)格局與趨勢，分享前沿技術(shù)與最新產(chǎn)品，探討產(chǎn)業(yè)鏈上下游如何協(xié)同創(chuàng)新，構(gòu)建合作共贏的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。峰會以“AI驅(qū)動，存儲復(fù)蘇”為主題，將匯聚存儲器產(chǎn)業(yè)鏈的終端廠商、原廠、平臺廠商、主控廠商、模組廠商、封測廠商、設(shè)備廠商、材料廠商等頭部企業(yè)、上市公司以及本土代表性企業(yè)，通過主題演講、資本市場對接與策略分享、存儲器品牌全球直播、展覽等多種形式，圍繞存儲器市場復(fù)蘇與AI新興應(yīng)用市場帶動下的產(chǎn)業(yè)格局與趨勢，分享前沿技術(shù)與最新產(chǎn)品，探討產(chǎn)業(yè)鏈上下游如何協(xié)同創(chuàng)新，構(gòu)建合作共贏的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。
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紫光閃存京東品牌煥新日來襲！多重福利精彩放送
在數(shù)字化時代，存儲技術(shù)是推動科技進步的關(guān)鍵力量。作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)，一直致力于通過技術(shù)創(chuàng)新，為消費者帶來更高效、更穩(wěn)定的存儲解決方案。無論是對固態(tài)硬盤或閃存數(shù)碼產(chǎn)品有需求的消費者是對半導(dǎo)體技術(shù)感興趣的科技愛好者，都可以在這個特別的日子里，找到屬于自己的驚喜和收獲。
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三星第9代V-NAND閃存將首次采用鉬材料：可降低層高和延遲
三星在其第9代V-NAND閃存技術(shù)的革新中，巧妙地在金屬化工藝環(huán)節(jié)引入了鉬作為替代材料，與之并行的另一路徑則繼續(xù)沿用傳統(tǒng)的鎢材料。面對鎢材料在降低層高方面已觸及的物理極限，三星前瞻性地轉(zhuǎn)向鉬，這一轉(zhuǎn)變不僅有望實現(xiàn)層高30%至40%的進一步縮減能顯著降低NAND閃存的響應(yīng)時間，為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域帶來前所未有的性能飛躍。這一趨勢預(yù)示著六氟化鎢市場將面臨不可避免的收縮壓力含鉬材料的市場則將迅速崛起。
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業(yè)界最大！鎧俠推出2Tb容量BiCS8 FLASH QLC閃存
鎧俠宣布，推出基于第八代BiCSFLASH3D閃存技術(shù)的BiCS8FLASH2TbQLC閃存，目前已開始送樣。這款2TbQLC存儲器擁有業(yè)界最大容量，將存儲器容量提升到一個全新的水平，將推動包括人工智能在內(nèi)的多個應(yīng)用領(lǐng)域的增長。1TbQLC更適用于高性能領(lǐng)域，包括客戶端SSD和移動設(shè)備。
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鎧俠公布3D NAND閃存發(fā)展藍圖：計劃2027年實現(xiàn)1000層堆疊
鎧俠最近公布了3DNAND閃存發(fā)展藍圖，目標(biāo)2027年實現(xiàn)1000層堆疊。自2014年以來，3DNAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現(xiàn)了驚人的10倍增長。值得注意的是，提高3DNAND芯片的密度并非僅僅意味著增加層數(shù)，更涉及到制造過程中可能遇到的一系列新問題和技術(shù)挑戰(zhàn)。
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西部數(shù)據(jù)WD Blue SN5000 SSD上線：最高8TB容量、TLC/QLC閃存混用
西部數(shù)據(jù)WDBlueSN5000SSD上線目前已經(jīng)在西部數(shù)據(jù)官網(wǎng)上線，最大提供8TB容量。WDBlueSN5000SSD之所以能在眾多競品中脫穎出，離不開其強大的技術(shù)支撐。西部數(shù)據(jù)將會為WDBlueSN5000NVMeSSD提供五年質(zhì)保，官方暫時還沒有提供產(chǎn)品的定價。
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國產(chǎn)旗艦固態(tài)硬盤明日之星！紫光閃存UNIS SSD S2 Ultra現(xiàn)已開售
在數(shù)字化浪潮推動下，人們的數(shù)據(jù)存儲量不斷攀升，數(shù)據(jù)存儲和傳輸?shù)乃俣瘸蔀楹饬考夹g(shù)進步的重要指標(biāo)。憑借在智能科技領(lǐng)域的深厚積累，紫光集團于今年上半年重磅推出國產(chǎn)固態(tài)存儲品牌——紫光閃存，為消費者帶來全新的存儲解決方案。紫光閃存UNISSSDS2Ultra作為紫光閃存旗下消費級固態(tài)硬盤的當(dāng)家花旦，從產(chǎn)品性能參數(shù)、性價比，以及品牌實力等多角度出發(fā)來看，已然具備了高端盤的所有必備要素。
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國產(chǎn)高端SSD不二之選！紫光閃存UNIS S2 Ultra正式上架
紫光集團旗下國產(chǎn)存儲品牌——紫光閃存系列消費級固態(tài)硬盤正式上架京東開啟預(yù)售。本屆618是紫光閃存品牌自推出以來的首個電商大節(jié)，為此商家也為用戶帶來了豐厚的銷售福利。618大促期間，該產(chǎn)品1TB版到手價格僅489元;2TB頂配版本亦僅售899元。
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國產(chǎn)存儲技術(shù)新高度 紫光閃存系列固態(tài)硬盤即將上市
隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型加速推進，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆炸式增長，數(shù)據(jù)存儲不再僅僅是保存信息的簡單功能已然成為支撐現(xiàn)代經(jīng)濟社會運行的基礎(chǔ)設(shè)施之一?；陂W存介質(zhì)的固態(tài)硬盤產(chǎn)品依托自身快速的讀寫速度、高可靠性、耐用性，以及低能耗等顯著優(yōu)勢，正成為高性能存儲系統(tǒng)的優(yōu)選。在為消費者帶來更優(yōu)存儲解決方案的同時，也將進一步推動整個行業(yè)的技術(shù)進步。
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業(yè)界最高性能！SK海力士推出新一代移動端閃存ZUFS 4.0
快科技5月9日消息，SK海力士今日宣布，已成功開發(fā)出新一代移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品ZUFS 4.0”，專為端側(cè)AI手機優(yōu)化。SK海力士表示，ZUFS 4.0是業(yè)界最高性能的移動端NAND閃存解決方案，它通過區(qū)分?jǐn)?shù)據(jù)特性進行管理，與現(xiàn)有UFS相比，ZUFS采用分區(qū)存儲方式，顯著提升了手機操作系統(tǒng)的運行速度和存儲設(shè)備的數(shù)據(jù)管理效率。在長期使用環(huán)境下，ZUFS 4.0相比現(xiàn)有UFS，能夠使手機應(yīng)用程序的運行時間提升約45%，并且在存儲讀寫性能下降方面實現(xiàn)了超過4倍的改善，從而將產(chǎn)品的使用壽命提升了約40%。SK海力士自2019年起便與全球平臺企業(yè)合作開發(fā)ZUF
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IBM發(fā)布全新的入門級全閃存存儲平臺IBM FlashSystem 5300
北京2024年4月29日--近日，IBM發(fā)布了全新的IBMFlashSystem5300，這是一款功能強大的入門級存儲解決方案，僅使用一個機架單元就能為各種規(guī)模的企業(yè)提供高性價比和高可用性的企業(yè)級數(shù)據(jù)服務(wù)。當(dāng)企業(yè)面臨數(shù)據(jù)中心資源緊張、工作負載過大等挑戰(zhàn)時，IBMFlashSystem5300可為其提供具有超高性能和可擴展性的全閃存主存儲平臺，能夠幫助各種規(guī)模的客戶為其對延遲非常敏感的工作負載和?
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Lexar雷克沙亮相2024中國閃存峰會，新品領(lǐng)先行業(yè)
2024年3月20日，中國閃存市場峰會在深圳前海JW萬豪酒店隆重召開。本次峰會以“存儲周期、激發(fā)潛能”為主題，現(xiàn)場匯聚了全球存儲產(chǎn)業(yè)鏈及消費類等終端應(yīng)用企業(yè)，共同探討在供需關(guān)系依然充滿挑戰(zhàn)的大環(huán)境下未來存儲市場的變化，以及如何挖掘產(chǎn)業(yè)價值、激發(fā)潛能，實現(xiàn)存儲產(chǎn)業(yè)鏈由“價格”走向“價值”的升維。面對千變?nèi)f化的存儲市場環(huán)境，Lexar雷克沙立足本土、放眼國際，以包容開放、與時俱進的經(jīng)營理念，不斷提升其產(chǎn)品性能，以傲人的優(yōu)勢沖擊市場，引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新，打造具有全球影響力的消費類存儲品牌。
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賭城“大圓球”配備4000TB閃存：分辨率高達16K
誕生還不到一年，賭城拉斯維加斯的大圓球”已經(jīng)賺足了噱頭和關(guān)注度，吸引海量游客，更多技術(shù)細節(jié)也被披露出來。這個世界最大的球形結(jié)構(gòu)劇場耗資達23億美元，高達112米，最寬157米，外表面覆蓋120萬個超高分辨率LED光源，總面積5.4萬平方米，可以播放預(yù)先編程的3D動態(tài)影像，內(nèi)部則是面積超過1.5萬平方米的環(huán)形LED屏幕，分辨率19000x1350。大家一定要去體驗體驗，那種震撼，是無法傳達的。
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內(nèi)存、閃存漲價25%是開始！1T、12/16/24G手機珍惜了 要么漲價要么下架
SSD存儲漲價只是開始，這也倒逼大內(nèi)存、存儲手機且買且珍惜，要么廠商漲價來消化成本上升，要么就是直接下架這些產(chǎn)品。經(jīng)歷一年多的供過于求之后，三星電子的NAND閃存售價一度持平成本，因此其計劃與大客戶進行談判，將價格拉回到合理水平上。由于內(nèi)存和閃存漲價太多，手機存儲配置會被迫下降，所以不要指望今年還有24GB1TB的新手機出來了。
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鎧俠正式發(fā)布業(yè)界首款車載UFS 4.0嵌入式閃存
性能改進持續(xù)推動車載應(yīng)用發(fā)展，提升駕駛員體驗存儲器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會社宣布，該公司已開始提供業(yè)界首款面向車載應(yīng)用的通用閃存4.0版嵌入式閃存設(shè)備的樣品。新產(chǎn)品性能高，采用小型封裝，提供快速的嵌入式存儲傳輸速度，適用于多種新一代車載應(yīng)用，諸如車載遠程信息處理系統(tǒng)、信息娛樂系統(tǒng)以及ADAS系統(tǒng)。*所有公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo)。
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三星宣布280層QLC閃存：M.2 SSD可達16TB！
三星宣布，正在開發(fā)下一代V9QLC閃存技術(shù)，一舉堆疊到280層，容量、性能都實現(xiàn)了巨大的飛躍，預(yù)計今年內(nèi)就會正式推出。三星V9QLC閃存的存儲密度達到了前所未有的每平方毫米28.5Gb，相比目前最好的長江存儲232層QLC20.62Gb提高了多達36％。雖然很多人依然不待見QLC，但是隨著TLC的潛力被挖掘殆盡，QLC已經(jīng)成為絕對主流，各家都已經(jīng)全部轉(zhuǎn)向，三星也從2022年開始就將幾乎全部精力放在了QLC。
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華為的存儲產(chǎn)品怎么樣？OceanStor Dorado系列邁出全閃存第一步
存儲產(chǎn)品是計算機設(shè)備中的重要零部件。雖然存儲產(chǎn)品的整體技術(shù)在持續(xù)發(fā)展，但其技術(shù)和生產(chǎn)基本都被國外把控，國內(nèi)整體市場波動很大，甚至出現(xiàn)所謂“內(nèi)存期貨”“SSD期貨”的說法。為了應(yīng)對“NA、商業(yè)市場、分銷市場”這三類市場的不同需求，華為可以說很早就對存儲產(chǎn)品、解決方案和IT平臺進行大力投入，未來將繼續(xù)與眾多合作伙伴共同幫助企業(yè)客戶實現(xiàn)數(shù)字化轉(zhuǎn)型。
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存儲漲價進一步蔓延！NOR閃存明年一二季度連漲
快科技12月25日消息，據(jù)媒體報道，存儲芯片漲價的趨勢或?qū)⑦M一步蔓延，NOR閃存將啟動存儲芯片新一輪漲價潮，預(yù)計明年1月起先漲5%，二季度漲幅或?qū)U大至10%。 摩根士丹利的最新報告指出，今年和去年，NOR閃存都處于供過于求的狀態(tài)，但隨著PC、智能手機、服務(wù)器需求持續(xù)上升，NOR閃存市場需求也將增長。 再加上兆易創(chuàng)新、華邦電子、旺宏等NOR閃存供應(yīng)商去年底啟動減產(chǎn)?
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內(nèi)存、閃存大漲價要來了！明年將出現(xiàn)缺貨潮
NANDFlash控制IC廠商群聯(lián)CEO潘健成7日表示，隨著主要存儲芯片廠相繼減產(chǎn)，加上部分終端市場回溫，NAND市況開始走強、報價上漲。近期客戶拉貨更趨積極，但市場供給持續(xù)因大廠減產(chǎn)受限縮，預(yù)期明年將出現(xiàn)缺貨潮。這波漲勢將延續(xù)到明年第一季度。
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三星將在明年量產(chǎn)300層NAND閃存芯片：2030年實現(xiàn)1000層
今天，三星電子內(nèi)存業(yè)務(wù)負責(zé)人LeeJung-Bae發(fā)表文章，稱三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的運行芯片，希望明年初可以實現(xiàn)量產(chǎn)。同時三星還正在開發(fā)行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的11納米級DRAM芯片。因此業(yè)內(nèi)人士表示三星可能會在第10代430層產(chǎn)品中開始采用三重堆疊技術(shù)。
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西數(shù)與鎧俠閃存業(yè)務(wù)合并：打造全球最大NAND制造商
西部數(shù)據(jù)目前就NAND閃存生產(chǎn)業(yè)務(wù)合并進行談判，目前即將敲定最終計劃。他們將打造全球最大的NAND閃存制造商。鎧俠和西部數(shù)據(jù)合并后，市場份額達到了34.3%，超越三星成為最大的NAND閃存供應(yīng)商。
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內(nèi)存、閃存全面漲價！1TB、12/16GB大內(nèi)存手機且買且珍惜 要漲價節(jié)奏
TrendForce發(fā)布新的報告，自2024年第四季度起，DRAM和NAND閃存均價開始全面上漲。其中DRAM預(yù)計按季度上漲3~8%，漲勢是否能夠延續(xù)還要看供應(yīng)商是否堅持減產(chǎn)策略，以及市場的回暖程度，重點在于通用型服務(wù)器領(lǐng)域。面對這樣的情況，有行業(yè)人士也是表示，大內(nèi)存、大存儲的智能手機都會迎來不同程度的漲價，所以大家且買且珍惜。
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“芯存儲 AI未來”:2023閃存峰會在杭州成功舉辦
8月29日，由DOIT傳媒主辦、杭州華瀾微電子股份有限公司協(xié)辦，以“芯存儲AI未來”為主題的2023閃存峰會在杭州開元名都大酒店召開。2023閃存峰會現(xiàn)場本次峰會由杭州市蕭山區(qū)人民政府、蕭山經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會指導(dǎo)，中國計算機學(xué)會信息存儲專委會、中國計算機行業(yè)協(xié)會信息存儲與安全專委會、武漢光電國家研究中心、浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、上海市計算機學(xué)會、JEDEC?
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SK海力士首發(fā)321層閃存 三星被偷家原因揭秘：步子邁太大
日前SK海力士宣布全球首發(fā)321層堆棧的4D閃存，這也是閃存首次提升到300層以上，核心容量1Tb，TLC類型。在堆棧層數(shù)上，SK海力士的4D閃存因為架構(gòu)不同，相比其他家來說堆棧層數(shù)占優(yōu)一些，比如之前美光及國產(chǎn)長江存儲推出的都是232層閃存，SK海力士上一個記錄是238層，多了那么幾層。三星這次步子邁得很大，計劃是美好的，但是跳過這一級別的閃存，技術(shù)上挑戰(zhàn)也不小，最終能否如愿還要時間來檢驗。
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全球首個！華為全閃存存儲獲國際認(rèn)可：達到業(yè)界領(lǐng)先水平
7月28日，全球領(lǐng)先的檢驗、檢測及認(rèn)證機構(gòu)DEKRA德凱為華為OceanStor全閃存存儲頒發(fā)全球首個DEKRA德凱存儲產(chǎn)品碳足跡和DEKRASeal碳標(biāo)簽證書。到2025年，數(shù)據(jù)中心能耗將占全球總能耗4.5%，數(shù)據(jù)中心節(jié)能將成為全球各國邁向碳中和的關(guān)鍵?！彼a充道：華為OceanStor全閃存存儲通過高密設(shè)計、數(shù)據(jù)縮減、系統(tǒng)融合等創(chuàng)新方案提升資源利用、降低空間占用，并根據(jù)數(shù)據(jù)冷熱特征及業(yè)務(wù)負載規(guī)律構(gòu)建系統(tǒng)調(diào)優(yōu)模型，可達到整系統(tǒng)能耗最優(yōu)。
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三星電子下半年將繼續(xù)削減存儲芯片產(chǎn)量 尤其是NAND閃存
7月28日消息，據(jù)外媒報道，在當(dāng)?shù)貢r間周四發(fā)布的二季度財報中，三星電子預(yù)計在業(yè)內(nèi)更大范圍的減產(chǎn)、客戶庫存調(diào)整減弱的推動下，存儲芯片的需求在下半年將會逐漸恢復(fù)。但從外媒的報道來看，預(yù)計存儲芯片的需求在下半年將會開始逐漸恢復(fù)的三星電子，并不會因此而增加產(chǎn)量，他們在下半年還會繼續(xù)削減DRAM和NAND閃存的產(chǎn)量。外媒在報道中提到，在二季度的財報分析師電話會議上，三星電子的高管表示，他們計劃下半年繼續(xù)削減存儲芯片的產(chǎn)量，以加速庫存正?；?，他們將繼續(xù)調(diào)整DRAM和NAND閃存的產(chǎn)量，尤其是大幅削減NAND閃存的產(chǎn)量。三星電子繼?
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小尺寸、高性能、低功耗，佰維UFS3.1高速閃存賦能旗艦智能手機暢快體驗
佰維存儲嵌入式事業(yè)部總經(jīng)理劉陽表示:“智能手機已經(jīng)成為我們生活中不可或缺的一部分。隨著高速5G網(wǎng)絡(luò)、創(chuàng)新傳感器和人工智能的應(yīng)用普及，更高分辨率的視頻和圖像內(nèi)容、復(fù)雜豐富的應(yīng)用程序以及實時的通訊交互等等，都對手機系統(tǒng)架構(gòu)的各方面性能提出了更高要求，也給手機存儲帶來嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。佰維將持續(xù)深化研發(fā)封測一體化布局，發(fā)揮公司在嵌入式存儲領(lǐng)域的先發(fā)優(yōu)勢，賦能移動智能終端市場和客戶。
