IEDM2024大會(huì)上，臺積電首次披露了N22nm工藝的關(guān)鍵技術(shù)細(xì)節(jié)和性能指標(biāo)：對比3nm，晶體管密度增加15％，同等功耗下性能提升15％，同等性能下功耗降低24-35％。臺積電2nm首次引入全環(huán)繞柵極納米片晶體管，有助于調(diào)整通道寬度，平衡性能與能效。按照臺積電的說法，28nm工藝以來，歷經(jīng)六代工藝改進(jìn)，單位面積的能效比已經(jīng)提升了超過140倍！...

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