10月12日消息,我國存儲芯片上又有了新的大突破,而且是全球領(lǐng)先。
清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授吳華強、副教授高濱團隊基于存算一體計算范式,研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學(xué)習(xí)(機器學(xué)習(xí)能在硬件端直接完成)的憶阻器存算一體芯片。
在支持片上學(xué)習(xí)的憶阻器存算一體芯片領(lǐng)域取得重大突破,有望促進人工智能、自動駕駛可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域發(fā)展。相關(guān)成果在線發(fā)表于最新一期的《科學(xué)》雜志。
記憶電阻器(Memristor,憶阻器),是繼電阻、電容、電感之后的第四種電路基本元件。它可以在斷電之后,仍能記憶”通過的電荷,被當(dāng)做新型納米電子突觸器件。
存算一體架構(gòu)徹底消除了數(shù)據(jù)在邏輯處理器與存儲芯片之間的搬遷問題,減少能量消耗及延遲,在邊緣計算和云計算中有廣泛的應(yīng)用前景。
相同任務(wù)下,該芯片實現(xiàn)片上學(xué)習(xí)的能耗僅為先進工藝下專用集成電路(ASIC)系統(tǒng)的1/35,同時有望實現(xiàn)75倍的能效提升。
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