全球內(nèi)存市場將在 2025 年面臨前所未有的供需失衡，由人工智能的激增和行業(yè)投資不足共同驅(qū)動。摩根士丹利預(yù)測，屆時高帶寬內(nèi)存 (HBM) 的供應(yīng)缺口將達 -11%，整個 DRAM 市場將面臨 -23% 的供應(yīng)不足，HBM 需求激增，預(yù)計將占據(jù)總 DRAM 供應(yīng)的 30%。

供需失衡預(yù)示著內(nèi)存價格將大幅上漲。商品存儲產(chǎn)品的價格預(yù)計在 2024 年以季度兩位數(shù)的速度上漲，而 HBM 在 2025 年的價格將進一步上漲，服務(wù)器 DRAM 和超高密度 QLC 固態(tài)硬盤將引領(lǐng)這一趨勢。

這一“超級周期”將為 SK 海力士和三星等行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)帶來市場份額的增長。摩根士丹利將這兩家公司的 2024-25 年每股收益預(yù)測提高了 24-82%，比最新共識預(yù)期高出 51-54%。

SK 海力士預(yù)計將在 2025 年占據(jù) HBM 市場最大份額，其目標(biāo)價上調(diào) 11% 至 300,000 韓元，三星電子的目標(biāo)價上調(diào)至 105,000 韓元。

這一超級周期與以往不同，因為行業(yè)投資遠(yuǎn)低于維持產(chǎn)能所需的水平，自 2022 年第三季度以來產(chǎn)能一直在下降。這種投資不足恰逢內(nèi)存供應(yīng)鏈快速向 HBM 轉(zhuǎn)移，HBM 每比特所需的晶圓容量是普通 DRAM 的兩倍，且良率較低，加劇了供需失衡。

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