快科技12月26日消息，據(jù)媒體報(bào)道，在國(guó)際微電子領(lǐng)域頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議IEDM第70屆年度會(huì)議上，來(lái)自中國(guó)的浙江馳拓科技發(fā)布了一項(xiàng)突破性的SOT-MRAM（自旋軌道矩磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）技術(shù)進(jìn)展，解決了該技術(shù)在大規(guī)模生產(chǎn)中面臨的主要挑戰(zhàn)。

馳拓科技首次提出了適合大規(guī)模制造的無(wú)軌道垂直型SOT-MRAM器件結(jié)構(gòu)，顯著降低了SOT-MRAM工藝流程的復(fù)雜性和難度，并從原理上提升了器件良率。

該結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新之處在于將MTJ直接放置在兩個(gè)底部電極之間，并允許過(guò)刻蝕，從而大幅度增加了刻蝕窗口，降低了刻蝕過(guò)程的難度。

這一突破性設(shè)計(jì)使得12英寸晶圓上SOT-MRAM器件的位元良率從99.6%提升至超過(guò)99.9%，達(dá)到了大規(guī)模制造的要求。

同時(shí)，該器件實(shí)現(xiàn)了2納秒的寫入速度，超過(guò)1萬(wàn)億次的寫入/擦除操作次數(shù)（測(cè)量時(shí)間上限），并且具備持續(xù)微縮的潛力。

傳統(tǒng)方案

馳拓科技創(chuàng)新方案

據(jù)了解，SOT-MRAM擁有納秒級(jí)寫入速度和無(wú)限次擦寫次數(shù)，是一種有望替代CPU各級(jí)緩存的高性能非易失存儲(chǔ)技術(shù)，有望解決當(dāng)前SRAM成本及靜態(tài)功耗過(guò)高等問(wèn)題。

不過(guò)SOT-MRAM在器件制造工藝上極具挑戰(zhàn)性，特別是傳統(tǒng)方案從原理上導(dǎo)致刻蝕良率低，嚴(yán)重制約了其大規(guī)模生產(chǎn)與應(yīng)用。

（舉報(bào)）