快科技12月26日消息，據(jù)媒體報(bào)道，在國(guó)際微電子領(lǐng)域頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議IEDM第70屆年度會(huì)議上，來(lái)自中國(guó)的浙江馳拓科技發(fā)布了一項(xiàng)突破性的SOT-MRAM（自旋軌道矩磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）技術(shù)進(jìn)展，解決了該技術(shù)在大規(guī)模生產(chǎn)中面臨的主要挑戰(zhàn)。馳拓科技首次提出了適合大規(guī)模制造的無(wú)軌道垂直型SOT-MRAM器件結(jié)構(gòu)，顯著降低了SOT-MRAM工藝流程的復(fù)雜性和難度，并從原理上提升了器件良率。該結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新之處在于將MTJ直接放置在兩個(gè)底部電極之間，并允許過(guò)刻蝕，從而大幅度增加了刻蝕窗口，降低了刻蝕過(guò)程的難度。這一突破性設(shè)計(jì)使得12英寸晶圓上SOT-MRAM?...

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