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GF(格芯)退出7nm研發(fā)后,金字塔尖的先進(jìn)制程工藝爭(zhēng)奪主要圍繞臺(tái)積電、Intel、三星開展。最新消息稱,三星已經(jīng)重修了工藝路線圖,取消了此前用于過(guò)渡的4nm,在5nm為FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管
1月6日據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)》報(bào)道,三星電子已成功研發(fā)出首款3nm工藝芯片,基于全柵極(GAAFET)技術(shù)。與三星自家使用FinFET工藝研發(fā)的5nm芯片相比,3nm芯片的總硅片面積減少35%,功耗降低50%,性能提高30%。一年前,三星就開始進(jìn)行3nm GAAFET工藝的研發(fā),最初計(jì)劃于 2021 年開始量產(chǎn)。目前在圓晶代工領(lǐng)域,三星最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手是臺(tái)積電,臺(tái)積電今年有望繼續(xù)拿下華為和蘋果兩大重要客戶的芯片訂單。