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12-20
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三星第9代V-NAND閃存將首次采用鉬材料：可降低層高和延遲
三星在其第9代V-NAND閃存技術(shù)的革新中，巧妙地在金屬化工藝環(huán)節(jié)引入了鉬作為替代材料，與之并行的另一路徑則繼續(xù)沿用傳統(tǒng)的鎢材料。面對(duì)鎢材料在降低層高方面已觸及的物理極限，三星前瞻性地轉(zhuǎn)向鉬，這一轉(zhuǎn)變不僅有望實(shí)現(xiàn)層高30%至40%的進(jìn)一步縮減能顯著降低NAND閃存的響應(yīng)時(shí)間，為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)前所未有的性能飛躍。這一趨勢(shì)預(yù)示著六氟化鎢市場(chǎng)將面臨不可避免的收縮壓力含鉬材料的市場(chǎng)則將迅速崛起。
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鎧俠公布3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖：計(jì)劃2027年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊
鎧俠最近公布了3DNAND閃存發(fā)展藍(lán)圖，目標(biāo)2027年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊。自2014年以來(lái)，3DNAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長(zhǎng)，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實(shí)現(xiàn)了驚人的10倍增長(zhǎng)。值得注意的是，提高3DNAND芯片的密度并非僅僅意味著增加層數(shù)，更涉及到制造過(guò)程中可能遇到的一系列新問(wèn)題和技術(shù)挑戰(zhàn)。
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賣太便宜！SSD還要暴力漲價(jià)：NAND芯片價(jià)格短期內(nèi)將再漲50%
快科技1月6日消息，據(jù)供應(yīng)鏈最新消息稱，由于當(dāng)前存儲(chǔ)價(jià)格賣的實(shí)在是太便宜，導(dǎo)致不少?gòu)S商虧損嚴(yán)重，所以相關(guān)價(jià)格繼續(xù)上漲就沒(méi)有太多懸念。NAND芯片價(jià)格止跌回升后，目前報(bào)價(jià)仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應(yīng)商達(dá)到損益兩平點(diǎn)有一段差距。國(guó)內(nèi)重量級(jí)NAND相關(guān)業(yè)者表示，NAND芯片供應(yīng)商為達(dá)賺錢目的，將持續(xù)強(qiáng)力拉抬報(bào)價(jià)，預(yù)料還要再漲四成以上，才能讓大廠跨過(guò)損平基準(zhǔn)，要能賺錢，未來(lái)報(bào)價(jià)漲幅至少會(huì)達(dá)五成甚至更高。這意味現(xiàn)在NAND芯片價(jià)格揚(yáng)升，只是漲價(jià)首部曲，下一波漲勢(shì)好戲在后頭，短期內(nèi)將再迎來(lái)一波高達(dá)50%的暴力漲價(jià)。為了?
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倒逼國(guó)產(chǎn)漲價(jià)失去競(jìng)爭(zhēng)力！三星將NAND產(chǎn)量削減40%-50% SSD等存儲(chǔ)繼續(xù)漲價(jià)
據(jù)國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道稱，為了讓存儲(chǔ)價(jià)格繼續(xù)上漲，三星會(huì)進(jìn)一步減產(chǎn)，這勢(shì)必會(huì)對(duì)行業(yè)帶來(lái)更大的影響。報(bào)道中提到，三星電子計(jì)劃到明年上半年為止，將NAND生產(chǎn)量削減規(guī)模擴(kuò)大40%-50%，此舉推高了NAND價(jià)格。競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手很可能也會(huì)效仿三星的做法，提高NANDFlash快閃存儲(chǔ)的定價(jià)，這也會(huì)倒逼國(guó)產(chǎn)廠商被動(dòng)進(jìn)入漲價(jià)，從削弱競(jìng)爭(zhēng)力。
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三星將在明年量產(chǎn)300層NAND閃存芯片：2030年實(shí)現(xiàn)1000層
今天，三星電子內(nèi)存業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人LeeJung-Bae發(fā)表文章，稱三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的運(yùn)行芯片，希望明年初可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。同時(shí)三星還正在開(kāi)發(fā)行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的11納米級(jí)DRAM芯片。因此業(yè)內(nèi)人士表示三星可能會(huì)在第10代430層產(chǎn)品中開(kāi)始采用三重堆疊技術(shù)。
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三星等減產(chǎn)威力巨大！NAND Flash漲幅最高13%：SSD等存儲(chǔ)開(kāi)始漲價(jià)
SSD等存儲(chǔ)要漲價(jià)了，所以你要提前準(zhǔn)備采購(gòu)了嗎？據(jù)TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示，由于供應(yīng)商嚴(yán)格控制產(chǎn)出，NANDFlash第四季合約價(jià)全面起漲，漲幅約8~13%。當(dāng)下的新增訂單大多基于漲價(jià)預(yù)期，即NAND閃存客戶選擇提前囤貨。
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西數(shù)與鎧俠閃存業(yè)務(wù)合并：打造全球最大NAND制造商
西部數(shù)據(jù)目前就NAND閃存生產(chǎn)業(yè)務(wù)合并進(jìn)行談判，目前即將敲定最終計(jì)劃。他們將打造全球最大的NAND閃存制造商。鎧俠和西部數(shù)據(jù)合并后，市場(chǎng)份額達(dá)到了34.3%，超越三星成為最大的NAND閃存供應(yīng)商。
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SK 海力士發(fā)布全球首款 321 層 NAND 樣品 助力生成式人工智能發(fā)展
SK海力士今天發(fā)布了行業(yè)中層數(shù)最高的NAND技術(shù)，采用321層設(shè)計(jì)，可達(dá)到1TbTLC封裝。圖片來(lái)自skhynix該公司在8月8日至10日于圣克拉拉舉辦的FlashMemorySummit2023上介紹了其321層1TbTLC4DNANDFlash的開(kāi)發(fā)進(jìn)展。SK海力士還宣布已經(jīng)開(kāi)始開(kāi)發(fā)下一代PCIeGen6和UFS5.0，并表示致力于引領(lǐng)行業(yè)趨勢(shì)。
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三星電子下半年將繼續(xù)削減存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量 尤其是NAND閃存
7月28日消息，據(jù)外媒報(bào)道，在當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四發(fā)布的二季度財(cái)報(bào)中，三星電子預(yù)計(jì)在業(yè)內(nèi)更大范圍的減產(chǎn)、客戶庫(kù)存調(diào)整減弱的推動(dòng)下，存儲(chǔ)芯片的需求在下半年將會(huì)逐漸恢復(fù)。但從外媒的報(bào)道來(lái)看，預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片的需求在下半年將會(huì)開(kāi)始逐漸恢復(fù)的三星電子，并不會(huì)因此而增加產(chǎn)量，他們?cè)谙掳肽赀€會(huì)繼續(xù)削減DRAM和NAND閃存的產(chǎn)量。外媒在報(bào)道中提到，在二季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上，三星電子的高管表示，他們計(jì)劃下半年繼續(xù)削減存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)量，以加速庫(kù)存正?；?，他們將繼續(xù)調(diào)整DRAM和NAND閃存的產(chǎn)量，尤其是大幅削減NAND閃存的產(chǎn)量。三星電子繼?
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三星已連續(xù)30年是全球第1大DRAM廠商 連續(xù)20年是最大NAND閃存廠商
1月29日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，業(yè)務(wù)涵蓋消費(fèi)電子及面板、存儲(chǔ)芯片等的三星電子，多項(xiàng)業(yè)務(wù)在全球的份額高于其他廠商，在DRAM和NAND閃存方面的份額，就明顯高于其他廠商。而在最新的報(bào)道中，外媒還披露，在DRAM市場(chǎng)，三星電子的份額已連續(xù)30年位居全球第一，在NAND閃存市場(chǎng)已連續(xù)20年居首。外媒在報(bào)道中還提到，在去年三季度，三星電子在全球DRAM市場(chǎng)的份額高達(dá)40.6%，在NAND閃存市場(chǎng)的份額也高達(dá)31.6%，市場(chǎng)份額較第二大廠商均高出超過(guò)10個(gè)百分點(diǎn)。不過(guò)，外媒在報(bào)道中也提到，雖然三星電子目前在全球DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的份額遙遙領(lǐng)先，但?
