除了5nm、4nm、3nm、2nm工藝進(jìn)展和規(guī)劃,臺積電近日還公布了不少新的芯片封裝技術(shù),畢竟隨著高性能計(jì)算需求的與日俱增、半導(dǎo)體工藝的日益復(fù)雜,單靠升級制程工藝已經(jīng)不能解決所有問題。
臺積電的CoWoS-S晶圓級封裝技術(shù)已經(jīng)使用了很多年,大大突破了光刻掩膜尺寸的限制,芯片越做越大,內(nèi)部封裝的小芯片也越來越多。
2016年的時(shí)候,臺積電做到了1.5倍于掩模尺寸的規(guī)模,單芯片內(nèi)部可封裝4顆HBM高帶寬內(nèi)存芯片,去年達(dá)成2x尺寸、6顆HBM,并計(jì)劃明年實(shí)現(xiàn)3x尺寸、8顆HBM。
根據(jù)臺積電最新公布的規(guī)劃,2023年的時(shí)候,他們將把芯片做到4倍于掩模尺寸的程度,內(nèi)部可以封裝多達(dá)12顆HBM,再加上主芯片就有13顆,而總面積估計(jì)可達(dá)驚人的3200平方毫米。
作為對比,NVIDIA安培架構(gòu)的GA100核心面積為826平方毫米,7nm工藝,540億晶體管,也不過它的大約四分之一。
HBM技術(shù)發(fā)展迅速,雖然還不確定2023年會(huì)是什么樣子,但無論容量還是帶寬都將超越很多人的想象,上百GB、TB/s應(yīng)該都不是事兒。
目前最先進(jìn)的三星HBM2e已經(jīng)做到單顆12層堆疊,數(shù)據(jù)傳輸率3200MT/s,帶寬至少4.92TB/s。
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