根據(jù)最新傳言，芯片設(shè)計(jì)者英特爾公司的18A半導(dǎo)體制造技術(shù)計(jì)劃提前投入使用。該公司目前正在花費(fèi)巨資，以恢復(fù)和擴(kuò)大其芯片制造。這是英特爾首席執(zhí)行官帕特里克格辛格先生去年宣布的戰(zhàn)略的一部分，該公司計(jì)劃通過(guò)該戰(zhàn)略向市場(chǎng)推出新的制造技術(shù)，并擴(kuò)大生產(chǎn)，也允許其他公司向英特爾提交他們的設(shè)計(jì)進(jìn)行制造。

作為這一戰(zhàn)略的一部分，該芯片制造商的目標(biāo)是每年推出一項(xiàng)新的制造技術(shù)，其英特爾4技術(shù)預(yù)計(jì)將在今年晚些時(shí)候進(jìn)入工廠車間。然而，半導(dǎo)體制造市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)非常激烈，英特爾的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC）已經(jīng)制定了若干先進(jìn)工藝技術(shù)的計(jì)劃，最終達(dá)到2nm半導(dǎo)體制造節(jié)點(diǎn)。

今天的傳言稱，英特爾對(duì)臺(tái)積電2nm技術(shù)的回應(yīng)，即英特爾18A節(jié)點(diǎn)，據(jù)稱準(zhǔn)備提前投產(chǎn)。它援引行業(yè)內(nèi)的消息來(lái)源稱，這項(xiàng)技術(shù)將比預(yù)期提前進(jìn)入生產(chǎn)。如果傳言成真，英特爾和臺(tái)積電在2nm生產(chǎn)方面將不相上下

英特爾的技術(shù)路線圖是在去年7月公布的，它概述了五種新的制造技術(shù)。它還對(duì)這些技術(shù)進(jìn)行了重新命名，以使其與臺(tái)積電提供的產(chǎn)品保持一致。在重塑品牌之前，英特爾的技術(shù)被認(rèn)為是比臺(tái)灣公司提供的技術(shù)更上一層樓。例如，在更名之前，當(dāng)提及兩種工藝所打印的晶體管的關(guān)鍵尺寸時(shí)，臺(tái)積電的7nm工藝節(jié)點(diǎn)被認(rèn)為在理論上等同于英特爾的10nm工藝，。

這家美國(guó)公司的技術(shù)路線圖列出了新命名的英特爾10、英特爾7、英特爾4、英特爾3、英特爾20A和英特爾18A制造工藝。在這些工藝中，18A是最先進(jìn)的工藝，當(dāng)時(shí)英特爾概述了這項(xiàng)技術(shù)將在2025年下半年投入生產(chǎn)。

現(xiàn)在，根據(jù)EET-China和ITHome分享的據(jù)稱來(lái)自業(yè)界的報(bào)告，18A節(jié)點(diǎn)，相當(dāng)于1.8nm，將在2024年下半年進(jìn)入生產(chǎn)，比計(jì)劃提前6個(gè)多月。如果傳言最后成真，那么當(dāng)涉及到后者的可比2nm芯片制造工藝時(shí)，英特爾將與臺(tái)積電并駕齊驅(qū)。臺(tái)積電首席執(zhí)行官發(fā)言表明，該公司預(yù)計(jì)該技術(shù)將在2025年進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)。這與英特爾對(duì)18A節(jié)點(diǎn)的官方時(shí)間表相吻合。

2020年出現(xiàn)的傳言顯示，臺(tái)積電可能用于2nm的多橋通道場(chǎng)效應(yīng)（MBCFET）晶體管可以在2024年進(jìn)入生產(chǎn)。MBCFET晶體管通過(guò)給晶體管增加更多的傳導(dǎo)區(qū)域，擴(kuò)大了大多數(shù)公司目前使用的FinFET設(shè)計(jì)。然而芯片制造商目前正專注于3nm制造工藝，三星晶圓廠和臺(tái)積電都在為大規(guī)模生產(chǎn)而努力。英特爾的英特爾4工藝位于其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的5nm和3nm節(jié)點(diǎn)之間，定于在今年下半年進(jìn)入生產(chǎn)。

（舉報(bào)）