據(jù) Business Korea 報道，三星近期設(shè)立了一個新的目標(biāo)，希望在今年 6 月前完成基于 11nm 工藝節(jié)點的第六代 1c DRAM 芯片的開發(fā)。消息稱，該公司已要求自家研發(fā)人員停下或跳過基于 12nm 工藝節(jié)點的 1b DRAM 芯片的開發(fā)，以期擴大并維持較競爭對手（包括 SK 海力士和美光科技）的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。

資料圖（來自：Samsung 官網(wǎng)）

當(dāng)然，這不是我們首次看到三星作出類似的決定，此前這家韓國電子科技巨頭曾放棄 28nm DRAM、并全面轉(zhuǎn)向 25nm DRAM 的生產(chǎn)。

不過業(yè)內(nèi)專家指出，11nm DRAM 的生產(chǎn)并非易事。因其需要先進的技術(shù)作為支撐，而當(dāng)前三星在 1a DRAM（10 納米級別的第 4 代內(nèi)存產(chǎn)品）的量產(chǎn)上落后于兩大競爭對手。

在巨大的壓力之下，報道稱三星正希望找到一種方法來實現(xiàn)既定目標(biāo)。

（舉報）