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據(jù)國外媒體報(bào)道稱,臺(tái)積電將于今年年底從荷蘭供應(yīng)商ASML接收首批全球最先進(jìn)的芯片制造機(jī)器,僅比美國競爭對(duì)手英特爾晚幾個(gè)月。高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)是世界上最昂貴的芯片制造設(shè)備,每臺(tái)的價(jià)格約為3.5億美元。也是引起了行業(yè)專家的吐槽,有人甚至放話,如果沒有先進(jìn)光刻機(jī),你們恐怕什么也不是。
快科技10月18日消息,據(jù)媒體報(bào)道,三星電子已決定推遲接收來自荷蘭光刻機(jī)巨頭阿斯麥(ASML)的芯片制造設(shè)備。這批設(shè)備原本計(jì)劃用于三星電子在得克薩斯州泰勒市斥資170億美元新建的工廠。然而,目前三星電子尚未為該工廠贏得任何關(guān)鍵客戶,這一現(xiàn)狀無疑為項(xiàng)目的推進(jìn)增添了不確定性。不僅如此,三星電子還推遲了向其他供應(yīng)商下的訂單。這一舉動(dòng)不僅迫使這些供應(yīng)商開
在近日的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上,IntelCEO宣布已成功接收全球第二臺(tái)價(jià)值3.83億美元的HighNAEUV。HighNAEUV光刻機(jī)是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設(shè)備之一,其分辨率達(dá)到8納米,能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能,是實(shí)現(xiàn)2nm以下先進(jìn)制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。Intel計(jì)劃在2027年前將HighNAEUV技術(shù)用于商業(yè)生產(chǎn),并在2030年前實(shí)現(xiàn)代工業(yè)務(wù)的收支平衡。
臺(tái)積電正全力以赴,加速安裝對(duì)2nm工藝量產(chǎn)至關(guān)重要的EUV光刻機(jī)。為了滿足這一高端生產(chǎn)需求,臺(tái)積電計(jì)劃在今明兩年接收超過60臺(tái)EUV光刻機(jī),預(yù)計(jì)投資總額將超過123億美元。業(yè)界普遍期待臺(tái)積電能在今年內(nèi)接收到最新的High-NAEUV光刻機(jī),這將為其在高端芯片制造領(lǐng)域的競爭力再添助力。
4月3日7時(shí)58分,中國臺(tái)灣花蓮縣海域發(fā)生7.3級(jí)地震,后續(xù)記錄到上百起余震。4月3日晚,臺(tái)積電對(duì)中國臺(tái)灣發(fā)生的地震所造成影響做出最新評(píng)估。有網(wǎng)友表示:越先進(jìn)的工藝,受影響越大”估計(jì)損失可能要好幾億美元了,機(jī)臺(tái)上的晶圓都廢了”。
Intel官方宣布,位于俄勒岡州的晶圓廠已經(jīng)收到ASML發(fā)貨的全球第一臺(tái)高NAEUV極紫外光刻機(jī),型號(hào)為TwinscanEXE:5000”,它將幫助Intel繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律。Intel早在2018年就向ASML訂購了這種新一代光刻機(jī),將用于計(jì)劃今年量產(chǎn)的Intel18A制造工藝,也就是1.8nm級(jí)別。新光刻機(jī)的價(jià)格估計(jì)至少3億美元,甚至可能達(dá)到或超過4億美元,也就是逼近人民幣30億元現(xiàn)有低NAEUV光刻機(jī)需要2億美元左右。
近日佳能CEO御手洗富士夫在接受受訪時(shí)表示,該公司基于NIL的新型芯片制造設(shè)備售價(jià)將比ASML的EUV少一位數(shù)。極紫外光刻機(jī)的唯一供應(yīng)商就是ASML,EUV對(duì)于大規(guī)模生產(chǎn)速度快、能耗低的芯片至關(guān)重要,但每臺(tái)機(jī)器的售價(jià)高達(dá)數(shù)億美元,只有少數(shù)公司才有能力購買。”同時(shí)其還表示,最終的定價(jià)目前還沒有敲定,但希望這是一個(gè)完全的驚喜。
Intel今天發(fā)布了Q2季度財(cái)報(bào),129億美元營收及15億美元凈利潤都超出預(yù)期成功扭虧為盈,帶動(dòng)Intel股價(jià)大漲7%??梢哉fIntel業(yè)績最壞的日子就要過去了,尤其是PC業(yè)務(wù),此前由于需求下滑,CCG客戶端部門面臨著庫存壓力,現(xiàn)在情況不一樣了。Intel表示,通過AIBoost單元,集成的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)視覺計(jì)算模塊VPU將為AI工作負(fù)載提供專用的低功耗計(jì)算,Intel將通過人們期望和需要的混合工作、生產(chǎn)力、感知、安全和創(chuàng)作方面的關(guān)鍵體驗(yàn),讓AI應(yīng)用走進(jìn)生活。
隨著制程工藝的進(jìn)步,DRAM內(nèi)存芯片也面臨著CPU/GPU一樣的微縮難題,解決辦法就是上EUV光刻機(jī),但是設(shè)備實(shí)在太貴,現(xiàn)在還要榨干DUV工藝最后一滴,DDR5內(nèi)存有望實(shí)現(xiàn)單條1TB。作為第一家推出24Gb核心DDR5的內(nèi)存公司,美光日前又創(chuàng)造了一個(gè)新紀(jì)錄推出了32Gb核心的DDR5內(nèi)存顆粒,使用的是比前者1工藝更先進(jìn)的1工藝,這也是美光最后的非EUV工藝了,再往后不想上EUV也沒招了。顯存GDDR路線上,2025年會(huì)推出GDDR7,頻率32Gbps,核心容量16-24Gb,帶寬128GB/s以上。
在半導(dǎo)體工藝進(jìn)入7nm節(jié)點(diǎn)之后,EUV光刻機(jī)是少不了的關(guān)鍵設(shè)備,目前只有ASML能制造,單臺(tái)售價(jià)10億人民幣,今年底還會(huì)迎來下一代EUV光刻機(jī),價(jià)格也會(huì)大漲。光刻機(jī)的分辨率越高,越有利于制造更小的晶體管分辨率也跟光刻機(jī)物鏡的NA數(shù)值孔徑有直接關(guān)系,目前的EUV光刻機(jī)是NA=0.33技術(shù)的,下代EUV光刻機(jī)則是提升到NA=0.55。這還不排除未來正式商用的時(shí)候價(jià)格進(jìn)一步上漲,畢竟還要好幾年才能上市。