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HBM3內(nèi)存

HBM3內(nèi)存

電子元件工業(yè)聯(lián)合會（JEDEC）今天正式發(fā)布了 HBM3高帶寬內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)范了產(chǎn)品的功能、性能以及容量、帶寬等特性...除了6.4Gb/s 速率 @819GB/s 的帶寬，它還支持16-Hi 堆棧 @64GB 容量...為了滿足市面上對于這類內(nèi)存可靠性、壽命的需求，HBM3引入了強大的片上 ECC 糾錯功能，同時具有實時報告錯誤的能力......

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  • JEDEC正式發(fā)布HBM3內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)：6.4Gb/s速率 帶寬最高819GB/s

    電子元件工業(yè)聯(lián)合會（JEDEC）今天正式發(fā)布了 HBM3高帶寬內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)范了產(chǎn)品的功能、性能以及容量、帶寬等特性...除了6.4Gb/s 速率 @819GB/s 的帶寬，它還支持16-Hi 堆棧 @64GB 容量...為了滿足市面上對于這類內(nèi)存可靠性、壽命的需求，HBM3引入了強大的片上 ECC 糾錯功能，同時具有實時報告錯誤的能力...

  • JEDEC正式發(fā)布HBM3內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)：6.4Gb/s速率 819GB/s帶寬 16-Hi堆棧

    除了 6.4 Gb/s 速率 @ 819 GB/s 的帶寬，它還支持 16-Hi 堆棧 @ 64GB 容量...● 在經(jīng)過驗證的 HBM2 架構(gòu)的基礎(chǔ)上進一步擴展帶寬，將每個引腳的速率提升一倍（定義 6.4 GB/s），以實現(xiàn) 819 GB/s 的高帶寬...● 支持每層 8~32 Gb 的容量密度，可輕松支持 4GB（8Gb 4-Hi）到 64GB（32Gb 16-Hi）設(shè)備密度，預(yù)計初代產(chǎn)品將基于 16Gb 存儲層......

  • SK海力士展出12-Hi堆棧24GB HBM3內(nèi)存 傳輸速率6400Mbps

    上月，SK 海力士確認已開發(fā) 24GB HBM3 芯片，且每堆棧帶寬高達 819 GB/s 。而在 2021 OCP 峰會期間，我們終于看到了該公司展示的 12-Hi 堆棧 @ 24GB HBM3 內(nèi)存模塊，傳輸速率為 6400 Mbps 。WCCFTech 指出，下一代 CPU / GPU 需要更快更強的內(nèi)存，HBM3 或許是個不錯的解決方案。負責(zé)制定 HBM3 規(guī)范的 JEDEC 組織，尚未頒布最終草案。不過從 SK 海力士分享的早期測試結(jié)果來看，其速率從 5.2 到 6.4 Gbps 不等。2021 OCP 現(xiàn)場展示的

  • NVIDIA準(zhǔn)備精簡版GPU B200A：144GB HBM3E內(nèi)存、功耗低于2000W

    據(jù)集邦咨詢最新報告，NVIDIA將在今年下半年供貨Blackwell架構(gòu)的新一代B100、B200GPU，供應(yīng)CSP云客戶，同時增加一款精簡版的B200A，面向有邊緣AI需求的OEM企業(yè)客戶。臨時增加B200A的主要原因是B200所用的臺積電CoWoS-L封裝產(chǎn)能持續(xù)吃緊，需要集中滿足CSP客戶需求，B200A則會改用相對簡單和寬松的CoWoS-S封裝技術(shù)。集邦咨詢預(yù)計，NVIDIA高端GPU明年的出貨量將增長55％。

  • 三星發(fā)布全新內(nèi)存芯片HBM3E12H，AI性能再創(chuàng)新高

    三星電子于周二宣布研發(fā)出一款全新高帶寬內(nèi)存芯片，被譽為行業(yè)內(nèi)“容量最大”產(chǎn)品。這款名為HBM3E12H的芯片據(jù)稱“性能和容量均提升超過50%”?！弊詈?，三星電子強調(diào)該內(nèi)存芯片的未來發(fā)展前景，并計劃于2024年上半年開始量產(chǎn)。

  • NVIDIA斥巨資 向SK海力士、美光預(yù)購大量HBM3E內(nèi)存

    韓國ChosunBiz近日報道，NVIDIA已經(jīng)向SK海力士、鎂光，交付了700億至1萬億韓元的預(yù)付款，業(yè)內(nèi)預(yù)計了這筆款項在10.8億美元到15.4億美元之間。雖然沒有說明具體用途，但業(yè)界普遍認為，NVIDIA是為了確保2024年HBM供應(yīng)穩(wěn)定，避免新一代AI、HPCGPU因為發(fā)布后庫存不足掉鏈子。畢竟在NVIDIA在AI、HPC領(lǐng)域遙遙領(lǐng)先，這也是為什么需要大量HBM內(nèi)存，來確保H200GPU、以及GH200超級芯片的產(chǎn)品供應(yīng)。

  • 第五代HBM3e內(nèi)存來了！三大存儲巨頭集體向英偉達供貨：2024年第一季度完成驗證

    據(jù)TrendForce集邦咨詢最新HBM市場研究顯示，為了更妥善且健全的供應(yīng)鏈管理，英偉達也規(guī)劃加入更多的HBM供應(yīng)商。三星的HBM3預(yù)期于今年12月在NVIDIA完成驗證。在HBM4中，將首次看到最底層的Logicdie將首次采用采用12nm制程晶圓，該部分將由晶圓代工廠提供，使得單顆HBM產(chǎn)品需要晶圓代工廠與存儲器廠合作。

  • 三星電子確認第五代 HBM3E 產(chǎn)品命名為「Shinebolt」：為下一代 AI GPU 鋪平道路

    HBM3e在行業(yè)中的意義是巨大的，因為它將為下一代AIGPU鋪平道路這對于實現(xiàn)高計算性能至關(guān)重要。據(jù)BusinessKorea報道，三星電子已確認將其第五代HBM3E產(chǎn)品命名為「Shinebolt」。我們將進一步擴大生產(chǎn)以為客戶提供定制HBM。

  • 英偉達 Blackwell B100 GPU 或?qū)⒉捎?SK 海力士 HBM3e DRAM：因人工智能需求快速增長提前到 2024 年第二季度推出

    由于人工智能需求的大幅增加，英偉達計劃將其下一代BlackwellB100GPU的發(fā)布日期從2024年第四季度提前到2024年第二季度。該公司預(yù)計將使用SK海力士的HBM3eDRAM來驅(qū)動其最新的芯片。這表明英偉達正在加快其AIGPU的步伐，希望在未來幾年繼續(xù)保持領(lǐng)先地位。

  • 24GB HBM3E內(nèi)存明年初交付：NVIDIA瘋狂堆料282GB！

    將在明年初大批量出貨交付HBM3E高帶寬內(nèi)存，首要客戶就是NVIDIA。NVIDIAA100/H100計算卡熱賣，對于HBM的需求也空前高漲，動輒單卡幾十GB，最近宣布的GraceHopper超級芯片，雙路系統(tǒng)就需要282GBHBM3E。美光還將在明年初出貨32GBDDR5顆粒，可以輕松做成單條桌面32GB、服務(wù)器128GB，甚至能達成單條1TB。

  • 英偉達為 GH200 超級芯片帶來 HBM3e 解決生成式人工智能瓶頸

    不到一年時間，生成式人工智能已經(jīng)成為企業(yè)計算的主導(dǎo)影響力，因此處理器創(chuàng)新也需要快速推進。英偉達在宣布其新的GH200超級芯片不到三個月后，已經(jīng)對GH200進行了「提升」。新版本與5月份在Computex上發(fā)布的NVIDIAMGX服務(wù)器規(guī)范完全兼容，這意味著制造商可以輕松地將其添加到許多不同的服務(wù)器版本中。

  • TrendForce：新型 AI 加速芯片助力 HBM3 和 HBM3e 主導(dǎo) 2024 年市場

    2023年HBM市場的主導(dǎo)產(chǎn)品是HBM2e，該產(chǎn)品由英偉達A100/A800、AMDMI200以及大多數(shù)云服務(wù)提供商的自主開發(fā)的加速器芯片所采用。隨著對AI加速器芯片需求的不斷發(fā)展，制造商計劃在2024年推出新的HBM3e產(chǎn)品，預(yù)計HBM3和HBM3e將成為明年市場的主流。

  • 三星電子將為英偉達最新的人工智能芯片 H100 提供 HBM3 和封裝服務(wù)

    據(jù)韓國經(jīng)濟日報消息，存儲芯片制造商三星電子將為英偉達公司提供高性能半導(dǎo)體和封裝服務(wù)，有望在其它大型科技公司中贏得訂單。根據(jù)周二首爾的行業(yè)消息，三星和英偉達正在對 HBM3 芯片進行技術(shù)驗證和封裝服務(wù)。一旦完成工作，預(yù)計三星將負責(zé)封裝 H100，英偉達最新的人工智能 GPU，同時為處理器供應(yīng) HBM3 芯片。

  • SK海力士宣布向英偉達提供業(yè)內(nèi)首批HBM3 DRAM

    SK 海力士剛剛宣布，其已開始量產(chǎn)業(yè)內(nèi)性能領(lǐng)先的 HBM3 DRAM 存儲器...以英偉達為例，這家 GPU 巨頭于近期完成了對 SK 海力士 HBM3 樣品的性能評估，預(yù)計相關(guān)產(chǎn)品可于今年 3 季度開始出貨...為滿足客戶需求，SK 海力士將遵循英偉達的新品發(fā)布時間表...規(guī)格方面，SK 海力士的 HBM3 有望大幅提升加速計算應(yīng)用的性能表現(xiàn) —— 可提供高達 819 GB/s 的緩存帶寬，相當(dāng)于每秒傳輸 163 部 @ 5GB 的全高清（FHD）電影......

  • SK海力士在GTC 2022大會上介紹HBM3動態(tài)隨機存儲器

    TechPowerUp 報道稱：在 3 月 21 - 24 日舉辦的英偉達 GPU 技術(shù)大會上，SK 海力士介紹了該公司最新研發(fā)的 HBM3 高帶寬顯存...在“完全堆疊”狀態(tài)下，HBM3 高帶寬顯存可輕松達成 24GB 的容量，輔以較 HBM2E 翻倍的 16 通道架構(gòu) @ 6.4 Gbps 頻率...預(yù)計到 2025 年，還可進一步上升至 35%...作為該公司的最新舉措之一，其展示了 SK 海力士致力于保護環(huán)境、創(chuàng)建可持續(xù)和創(chuàng)新的內(nèi)存生態(tài)系統(tǒng)的承諾的決心......

  • 三星分享下一代DDR6-12800、GDDR7與HBM3存儲產(chǎn)品規(guī)劃

    在 2021 年度技術(shù)日活動期間，三星電子透露了有關(guān)下一代硬件開發(fā)的諸多規(guī)劃。首先從遵循 JEDEC 規(guī)范的 DDR5 標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存模組開始，該公司計劃后續(xù)推出更高規(guī)格的 SKU 。雖然仍處于開發(fā)階段，許多細節(jié)還有待進一步證實，但我們大可期待 DDR5-6400、甚至 DDR5-8400 之類的高頻模組將會到來。其次是下一代 DDR6 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，據(jù)說其速率是 DDR5 的兩倍。盡管 DDR6 規(guī)范仍處于早期開發(fā)階段，但據(jù) TechPowerUp 所述，每條內(nèi)存模組的通道數(shù)量從

  • SK海力士宣布開發(fā)HBM3存儲器：12-Hi堆棧24GB容量 帶寬819GB/s

    SK 海力士剛剛宣布了 HBM3 DRAM 存儲器的最新開發(fā)進展，可知新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)不僅帶來了更高的帶寬，還可通過垂直堆疊來增加容量。從去年 7 月量產(chǎn) HBM2E 內(nèi)存開始，該公司就已經(jīng)在著手 HBM3 新品的研發(fā)。隨著今日的公告，我們得知 SK 海力士將帶來兩款衍生型號。除了基于 8-Hi 堆棧的 16GB SKU，SK 海力士還計劃推出由 2GB DRAM 組成 12-Hi 堆棧的 24GB SKU，此外該公司提到其已將 DRAM 芯片的層高縮減至 30 μm 。負責(zé) DRAM 開發(fā)的

  • 臺積電公布先進CoWoS封裝技術(shù)路線圖 2023年結(jié)合小芯片與HBM3

    在 HotChips33 年度會議期間，臺積電介紹了該公司最先進的封裝技術(shù)路線圖，并且展示了為下一代小芯片架構(gòu)和內(nèi)存設(shè)計做好準(zhǔn)備的最新一代 CoWoS 解決方案。WCCFTech 指出，這家業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體巨頭在先進芯片封裝技術(shù)方面取得了快速進展。過去十年，該公司已經(jīng)推出五代不同的基板上芯片封裝工藝，且涵蓋了消費級與服務(wù)器芯片領(lǐng)域。預(yù)計 TSMC 將于今年晚些時候宣布第 5 代 CoWoS 封裝技術(shù)，其有望將晶體管數(shù)量翻至第 3 代封裝解決方?

  • SK海力士預(yù)告HBM3：帶寬飆升達665GB/s

    JEDEC標(biāo)準(zhǔn)組織還沒有公布下一代HBM3高帶寬內(nèi)存/顯存的具體規(guī)范，SK海力士已經(jīng)坐不住了，預(yù)告了自己的規(guī)劃。SK海力士稱，他們的HBM3可以做到I/O輸入輸出速度不低于5.2Gbps，帶寬則不低于665GB/s，相比于HBM2E 3.6Gbps、460GB/s的規(guī)格都猛增了多達45％。如果使用四顆，帶寬就可以做到恐怖的2.6TB/s，GDDR6X什么的都弱爆了。SK海力士2019年8月第一個提出了HBM2E，2020年7月投入量產(chǎn)，利用TSV硅穿孔技術(shù)垂直堆疊八顆16Gb(2GB)，單顆容?

  • SK海力士公布HBM3技術(shù)規(guī)格：帶寬665Gbps 容量翻倍 改進散熱

    SK 海力士剛剛公布了下一代高帶寬內(nèi)存（HBM3）的技術(shù)規(guī)格，可知其在提升傳輸速率和增大容量的同時，還引入了散熱方面的最新改進。具體說來是，該公司的 HBM3 產(chǎn)品將提供高達 665 Gbps 的帶寬、翻倍的容量、以及下一代散熱解決方案。在官方產(chǎn)品頁上，SK 海力士還分享了一張對比圖表，以直觀地展示從 HBM2E 到 HBM3 的變化。這家 DRAM 制造商表示，HBM3 有望實現(xiàn) 5.2 Gbps 的 I/O 速率，較現(xiàn)有的 HBM2E 提升 44%，從而大幅提升整體的

  • NVIDIA GPU賣脫銷！黃仁勛要求SK海力士HBM4內(nèi)存提前6個月交貨

    NVIDIABlackwellGPU系列產(chǎn)品無疑是AI市場上的頭號寵兒，甚至未來半年的產(chǎn)能都賣光了，NVIDIA對于產(chǎn)業(yè)鏈的供應(yīng)也十分饑渴，比如臺積電CoWoS封裝，比如HBM內(nèi)存芯片。SK海力士董事長崔泰源就透露，他們原計劃2025年下半年向客戶供貨下一代HBM4芯片，但是黃仁勛明確要求，必須加快速度，提前6個月交貨。不過在Rubin之前會有一代升級版的BlackwellUltraB300系列是搭配HBM3E。

  • 性能暴增30倍！SK海力士正開發(fā)HBM內(nèi)存新標(biāo)準(zhǔn)

    在SKIcheonForum2024論壇上，SK海力士副總裁RyuSeong-su宣布，該公司正計劃開發(fā)一種新的HBM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)將比目前HBM產(chǎn)品快20-30倍。RyuSeong-su表示，公司的目標(biāo)是推出性能大幅提升的差異化產(chǎn)品，以期在HBM市場中取得領(lǐng)先地位。SK海力士還表達了創(chuàng)建其存儲半導(dǎo)體的意向，根據(jù)計劃，SK海力士和三星都計劃在2025年中或年底之前發(fā)布各自的HBM4產(chǎn)品，以便及時集成到下一代產(chǎn)品中，如英偉達Robin等架構(gòu)。

  • 溫度直降100多度 HBM內(nèi)存也要用上低溫焊了：產(chǎn)能大增

    隨著AI市場的爆發(fā)，不僅CPU、GPU算力被帶動了，HBM內(nèi)存也成為香餑餑有2.5D、3D封裝技術(shù)，但是它們的產(chǎn)能之前很受限制，除了成本高，焊接工藝復(fù)雜也是問題。芯片焊接目前主要采用高溫焊，焊料主要是SAC錫、銀、銅材質(zhì)，熔點超過250℃，這個溫度的焊接技術(shù)對大部分芯片來說沒問題，但HBM內(nèi)存使用了TSV硅通孔技術(shù)，這樣的高溫焊接就有可能導(dǎo)致變形。三星、SK海力士等公司正在擴大HBM內(nèi)存的生產(chǎn)，這種低溫焊技術(shù)很快也會得到大面積使用。

  • ChatGPT火爆 韓國廠商天降喜事：HBM內(nèi)存價格漲了5倍

    作為當(dāng)前最火的AI應(yīng)用，ChatGPT已經(jīng)成為各大科技巨頭必爭之地，陸續(xù)都會推出類似的產(chǎn)品這也帶火了硬件行業(yè)，受益最大的是GPU顯卡，但HBM內(nèi)存吃到了流量，正在發(fā)愁內(nèi)存跌價的韓國廠商天降驚喜，找到賺錢的地方了。在AI算力中，除了GPU性能，內(nèi)存也非常重要，NVIDIA的高端加速卡也上了HBM2/2e之類的內(nèi)存，其帶寬及延遲性能遠高于GDDR內(nèi)存，A100加速顯卡上最高配備了80GBHBM2內(nèi)存。三星近年來也加大了HBM內(nèi)存的投入跟AMD合作首發(fā)了HBM-PIM技術(shù)，將HBM內(nèi)存與AI處理器集成在一起，大幅提高性能。

  • AMD發(fā)布6nm MI210計算卡：64GB HBM2e顯存、300W功耗

    MI200回歸單芯封裝，規(guī)格、性能幾乎完全就是MI250砍去一半：291億個晶體管，104組計算單元，6656個流處理器核心，416個矩陣核心，4096-bit 64GB HBM2e顯存，三條Infinity Link互連總線......

  • AMD專業(yè)挖礦卡曝光：豪華HBM2顯存、算力超RTX 3070

    前不久剛剛表態(tài)對挖礦業(yè)務(wù)沒有什么興趣的AMD，私底下已經(jīng)在暗度陳倉”了？爆料好手貼出的圖片顯示，基于7nm Navi 12核心打造的AMD BC-160礦卡現(xiàn)身，訊景設(shè)計，外形比較簡約素雅。此前Navi 12核心被用于筆記本平臺的Radeon Pro 5600M顯卡，其集成2560顆流處理器。而BC-160則配備2304個流處理器，輔以8GB HBM2顯存，走PCIe 4.0 x16插槽。算力方面，150瓦功耗下以太坊算力69.5MH/s，直接把RX 6900 XT也超了，主流顯卡中僅次于RTX 3080

  • 英偉達升級Ampere A100加速器 配備80GB HBM2e內(nèi)存

    英偉達可能正在升級Ampere A100 GPU。現(xiàn)有的NVIDIA A100 HPC加速器是在去年6月推出的，看起來英偉達正計劃給它進行重大規(guī)格升級。該芯片基于英偉達最大的安培GPU - A100，其尺寸為826平方毫米，容納了540億個晶體管，令人難以置信。在規(guī)格方面，A100 PCIe GPU加速器在核心配置方面沒有什么變化。GA100 GPU保留了我們在250W版本上看到的規(guī)格，有6912個CUDA核心，排列在108個SM單元中，432個張量核心，但是內(nèi)存升級到80GB HBM2e內(nèi)存?

  • Intel Xe HP頂級加速卡首次曝光：7680核心、32GB HBM2E顯存

    我們知道，Intel重返獨立顯卡市場的Xe GPU架構(gòu)分為四種不同級別，從低到高分別是Xe LP、Xe HPG、Xe HP、Xe HPC，覆蓋從輕薄本到高性能計算等各種領(lǐng)域。如果說相當(dāng)于核顯級別的Xe LP只是牛刀小試，Xe HPG就是游戲玩家的期待，Xe HP、Xe HPC則是高端計算的利器?，F(xiàn)在，我們第一次看到了Xe HP架構(gòu)的加速卡，規(guī)格很殘暴，而且還有更殘暴的。Xe HP加速卡代號Arctic Sound，采用一種名為Tile”的模塊化堆積設(shè)計方式(類似chiplets小芯片)?

  • 臺積電宣布3200平方毫米巨型芯片：整合封裝12顆HBM

    除了5nm、4nm、3nm、2nm工藝進展和規(guī)劃，臺積電近日還公布了不少新的芯片封裝技術(shù)，畢竟隨著高性能計算需求的與日俱增、半導(dǎo)體工藝的日益復(fù)雜，單靠升級制程工藝已經(jīng)不能解決所有問題。臺積電

  • HBM顯存標(biāo)準(zhǔn)升級：一塊顯卡可配96GB 帶寬1.23TB/s

    目前在顯存行業(yè)有兩個方向，一是傳統(tǒng)的GDDR繼續(xù)演化，NVIDIA RTX 20系列已經(jīng)用上最新的GDDR6，二就是高帶寬的HBM，已經(jīng)進化到第二代，NVIDIA、AMD的專業(yè)計算卡以及AMD的部分高端顯卡都配備了它。

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